[发明专利]微型发光元件结构及显示装置

说明书

本公开涉及微型发光元件结构及显示装置。微型发光元件结构包含一基板、一连接层、一微型发光元件及一覆盖层。连接层连接基板。微型发光元件可移除地连接连接层，且包含一半导体外延结构与二电极，其中半导体外延结构具有一外表面，电极设置于半导体外延结构的外表面的一第一表面，或分别设置于半导体外延结构的外表面的第一表面以及远离半导体外延结构的第一表面的一第二表面。覆盖层设置于半导体外延结构的外表面。因此，可增加制造良率与减少工艺成本。

技术领域

本公开内容涉及一种微型发光元件结构及显示装置，且特别是一种可增加制造良率且改善工艺的微型发光元件结构及显示装置。

背景技术

现有技术中，微型发光元件设置于基板上时，在微型发光元件之间的连接层(如胶层)未进行移除前便先溅镀覆盖层(如氧化硅，SiO₂)于微型发光元件的上表面，再移除微型发光元件之间的连接层。然而，上述的方式受限于微型发光元件之间的间距与连接层的性质，且微型发光元件之间的连接层易有残留的问题。

因此，发展出一种不受限于微型发光元件之间的间距与连接层性质的微型发光元件结构及显示装置遂成为产业上重要且急欲解决的问题。

发明内容

本公开内容提供一种微型发光元件结构及显示装置，通过覆盖层可增加制造良率并可减少工艺成本，且不受限于微型发光元件之间的间距。

依据本公开内容一实施方式提供一种微型发光元件结构，包含一基板、一连接层、一微型发光元件及一覆盖层。连接层连接基板。微型发光元件可移除地连接连接层，且包含一半导体外延结构与二电极，其中半导体外延结构具有一外表面，电极设置于半导体外延结构的外表面的的一第一表面，或分别设置于半导体外延结构的外表面的的第一表面以及远离半导体外延结构的第一表面的一第二表面。覆盖层设置于半导体外延结构的外表面。

依据前段所述实施方式的微型发光元件结构，其中覆盖层的杨氏模量可大于连接层的杨氏模量。

依据前段所述实施方式的微型发光元件结构，其中覆盖层的杨氏模量与连接层的杨氏模量的差异值可大于等于连接层的杨氏模量的15倍。

依据前段所述实施方式的微型发光元件结构，其中覆盖层可进一步设置于连接层的一外表面。

依据前段所述实施方式的微型发光元件结构，其中覆盖层可配置于半导体外延结构的第二表面，覆盖层于第二表面的投影面积为A1，第二表面的表面积为A2，其可满足下列条件：0.8A2≤A1≤A2。

依据前段所述实施方式的微型发光元件结构，其中覆盖层可配置于半导体外延结构的第二表面，且覆盖层配置的距离可大于等于0.5μm，且小于等于1μm。

依据前段所述实施方式的微型发光元件结构，其中每一电极中至少一者可连接于覆盖层。

依据前段所述实施方式的微型发光元件结构，可还包含一隔离层，其中隔离层设置于第一表面，且隔离层的杨氏模量可大于连接层的杨氏模量。

依据前段所述实施方式的微型发光元件结构，其中覆盖层可接触隔离层。

依据前段所述实施方式的微型发光元件结构，其中覆盖层与隔离层之间具有一角度，角度可小于等于90度。

依据前段所述实施方式的微型发光元件结构，其中覆盖层的杨氏模量可小于等于隔离层的杨氏模量。

依据前段所述实施方式的微型发光元件结构，其中覆盖层的厚度可小于等于隔离层的厚度。

依据前段所述实施方式的微型发光元件结构，其中覆盖层可进一步配置于隔离层上，配置的距离可小于等于10μm。

依据前段所述实施方式的微型发光元件结构，其中隔离层可进一步配置于半导体外延结构的外表面的一部分侧面。