[发明专利]一种新型准二维硒掺杂含碲超导材料及其制备方法

权利要求书

1.该系列新型Se掺杂含碲化物超导材料，具有以下的特征化学式：

CuIr₂Te_4-xSe_x(0.0≤x≤0.5)。

2.该种新型Se掺杂含碲化物超导材料及其制备方法，其特征在于具有以下的工艺和步骤：

(1)按照化学计量之比称量对应的高纯度Cu，Ir，Te和Se粉末(纯度≥99.9％)，将原料粉末充分研磨使其混合均匀，将研磨后的粉体转移至石英管中，在真空系统下抽至真空度为1×10^-5Torr，用乙炔火焰进行封管密封；

(2)将密封好的石英管置于850℃的箱式炉中，以1℃/min的速度升温至850℃后，煅烧120h后随炉降至室温，打开石英管，将得到的粉末再次充分研磨；

(3)将步骤(2)得到的粉末进行压片，得到片状样品后放入石英管中，再次抽真空至1×10^-5Torr，并在持续抽真空下用乙炔火焰密封石英管；

(4)将密封石英管再次置于箱式炉中，以1℃/min程序升到850℃后，煅烧240h后随炉降至室温，打开石英管得到片状CuIr₂Te_4-xSe_x(0.0≤x≤0.5)样品。

(5)应用粉末X射线衍射法(PXRD)确定样品组分后，利用Fullprof软件的StructuralMode功能拟合得到每个组分的晶体结构等具体参数；

(6)最后通过综合物理测试系统(PPMS)测试样品：得到电导率、磁性、热容等物理性质的低温表现，最终确定样品的超导电性。

3.根据权利要求2-(2)所述的850℃煅烧程序：升温速度1℃/min，在850℃下保温7200min，保温结束后随炉冷却。

4.根据权利要求2-(4)所述的850℃煅烧程序：升温速度1℃/min，在850℃下保温14400min，保温结束后随炉冷却。

5.根据权利1-2中所述的方法制备得到新型Se掺杂碲化物超导材料，该类超导材料的发现为新型二硫化物超导家族增加新的成员，为揭示电荷密度波相变与超导电性的竞争关系提供理想的材料平台，同时该类材料有望被剥离进一步构筑成光电薄膜器件或微型探测器等。