[发明专利]半导体发光元件

权利要求书

1.一种半导体发光元件，其特征在于，依次包括：衬底、n型氮化物半导体层、量子阱层以及p型氮化物半导体层，

所述半导体发光元件还包括调控层，其位于所述n型氮化物半导体层与所述量子阱层之间，

或者，位于所述量子阱层与所述p型氮化物半导体层之间，

所述调控层位于所述n型氮化物半导体层与所述量子阱层之间时，所述调控层为低掺p型氮化物半导体层，所述调控层位于所述量子阱层与所述p型氮化物半导体层之间时，所述调控层为低掺n型氮化物半导体层，所述低掺p型氮化物半导体层中的p型空穴浓度为5E16cm^-3~5E17cm^-3，所述低掺n型氮化物半导体层中的n型电子浓度为5E16cm^-3~1E18cm^-3。

2.如权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，所述低掺p型氮化物半导体层的结构包括p型氮化物半导体单一结构和（p-n）_x组合结构中的至少一种，其中，p-n表示p型氮化物半导体单一结构和n型氮化物半导体单一结构的组合，x为p-n的周期数，且x≥1。

3.如权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，所述低掺p型氮化物半导体层中低掺Mg、Zn、C、Li和Na元素中的至少一种。

4.如权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，所述调控层的结构中包含的GaN结构的形成条件包括：采用的MO源为三甲基镓源；生长的环境为低温高压高速生长。

5.如权利要求4所述的半导体发光元件，其特征在于，所述低温为600℃~850℃，所述高速生长的生长速率不低于1μm/h，所述高压的压强大于100Torr，形成的所述低掺p型氮化物半导体层的碳浓度为1E17cm^-3~5E18cm^-3。

6.如权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，所述低掺n型氮化物半导体层的结构包括n型氮化物半导体单一结构和（n-p）_y组合结构中的至少一种，其中，n-p表示n型氮化物半导体单一结构和p型氮化物半导体单一结构的组合，y为n-p的周期数，且y≥1。

7.如权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，所述低掺n型氮化物半导体层中低掺Si。

8.如权利要求7所述的半导体发光元件，其特征在于，通过控制Si的掺杂量，或者，控制Si与Ga、Si与Al以及Si与In的比例获得所述低掺n型氮化物半导体层。

9.如权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，所述调控层的结构为GaN结构、AlN结构、InN结构、三元混晶氮化物结构、四元混晶氮化物结构、超晶格结构和浅量子阱结构中的任意一种结构或多种结构的组合。

10.如权利要求9所述的半导体发光元件，其特征在于，所述三元混晶氮化物结构为AlGaN结构、AlInN结构以及InGaN结构中的任意一种结构或多种结构的组合。

11.如权利要求9所述的半导体发光元件，其特征在于，所述四元混晶氮化物结构为AlInGaN结构。