[发明专利]ZnWO4有效

专利信息
申请号: 202110344353.3 申请日: 2021-03-31
公开(公告)号: CN113173665B 公开(公告)日: 2022-10-04
发明(设计)人: 王楠;郭宇璇;郭笑彤;朱瑶;何玲玲 申请(专利权)人: 沈阳化工大学
主分类号: B01J23/30 分类号: B01J23/30;C02F9/08;C02F101/30
代理公司: 沈阳技联专利代理有限公司 21205 代理人: 张志刚
地址: 110142 辽宁*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: znwo base sub
【说明书】:

ZnWO4/MgWO4复合半导体材料降解有机废水方法,涉及一种降解有机废水方法,该方法制备纳米级ZnWO4/MgWO4复合半导体材料,并结合超声催化手段降解亚甲基蓝溶液有机染料废水的方法。ZnWO4/MgWO4复合半导体异结质的构建有效地解决了单一钨酸盐半导体材料的电子‑空穴对复合效率快、吸附速率低以及一些钨酸盐对声致发光的利用率低等问题。本发明从ZnWO4/MgWO4的不同复合比、加入量、亚甲基蓝溶液的初始浓度和pH值、超声功率、超声时间等因素对其降解效果的影响及ZnWO4/MgWO4复合半导体材料的可重复利用性和作用机理等方面综合验证了该技术的可行性。

技术领域

本发明涉及一种降解有机废水方法,特别是涉及一种ZnWO4/MgWO4复合半导体材料降解有机废水方法。

背景技术

有机废水,特别是有机染料废水因其可生化性差和色度高的特点,威胁着我们赖以生存的环境,因此,要寻找一种绿色环保的方法来解决这一问题。

钨酸镁作为一种新型纳米半导体材料在催化降解领域正发挥着其重要的作用,其中,构建异质结可以有效地解决单一半导体材料的e--h+复合速率快、吸附速率低以及一些钨酸盐对声致发光的利用率低等问题。

近几年来,许多学者们都在关注如何采用合成异质结的方法来提高单一半导体材料的催化性能。

发明内容

本发明的目的在于提供一种ZnWO4/MgWO4复合半导体材料降解有机废水方法,本发明将纳米半导体材料与超声技术结合,处理有机废水,将有机污染物降解为CO2、H2O及其他对环境无害的无机盐,并且拥有较好的可重复利用性能,应用价值非常大。

本发明的目的是通过以下技术方案实现的:

ZnWO4/MgWO4复合半导体材料降解有机废水方法,所述方法包括以下过程:

首先制备ZnWO4/MgWO4复合半导体材料:

1)配制Na2WO4·2H2O水溶液,配制MgCl2·6H2O水溶液,把不同量的ZnCl2倒入MgCl2·6H2O水溶液中溶解形成混合液;

2)将搅拌好的Na2WO4·2H2O水溶液加入到混合液中,经过磁力搅拌30 min;

3)将最终的混合液转入聚四氟乙烯反应釜中,放入180 ℃的数显鼓风干燥箱内反应24 h;

4)自然冷却后,经过离心收集出所有的沉淀,用蒸馏水与无水乙醇交替清洗数次,在80 ℃的数显鼓风干燥箱内烘干,冷却后研磨成粉末即为ZnWO4/MgWO4复合半导体材料;

再将ZnWO4/MgWO4复合半导体材料与超声技术联用于有机废水的处理,其步骤如下:

1)分别量取3组亚甲基蓝溶液于容器中,加入ZnWO4/MgWO4催化剂;

2)将容器中混合液避光搅拌后取样离心,取上层清液用紫外可见分光光度计进行测定;

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