[发明专利]一种SnS2 在审
| 申请号： | 202110344063.9 | 申请日： | 2021-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN113073355A | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 刘勇平;庄杨;吕慧丹;李伟;林剑飞;王子良 | 申请（专利权）人： | 桂林理工大学 |
| 主分类号： | C25B11/091 | 分类号： | C25B11/091;C25B1/55;C25B1/04 |
| 代理公司： | 东莞市汇橙知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 44571 | 代理人： | 黎敏强 |
| 地址： | 541004 广西壮族*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 sns base sub | ||
1.一种SnS2/SnO2异质结纳米片阵列光阳极制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)以四氯化锡、硫粉分别作为锡源、硫源，在双温控真空气氛管式炉中在惰性气体保护下进行化学气相沉积在导电基底材料上沉积二硫化锡纳米片阵列，得到导电基底/SnS2纳米片阵列；
(2)将导电基底/SnS2纳米片阵列放入高温马弗炉中表面氧化反应一段时间后取出，然后在空气中冷却得到表面含有SnO2氧化膜的SnS2纳米片阵列光阳极。
2.根据权利要求1所述SnS2/SnO2异质结纳米片阵列光阳极制备方法，其特征在于，所述SnCl4·5H2O与硫粉的质量比为1:3-1:5。
3.根据权利要求1所述SnS2/SnO2异质结纳米片阵列光阳极制备方法，其特征在于，所述导电基质材料为碳布、碳纸、FTO、Ti片、铁片、钨箔。
4.根据权利要求1所述SnS2/SnO2异质结纳米片阵列光阳极制备方法，其特征在于，所述惰性气体为氩气，氩气为纯度99.99％的氩气。
5.根据权利要求1所述SnS2/SnO2异质结纳米片阵列光阳极制备方法，其特征在于，步骤(1)中在双温控真空气氛管式炉进行化学气相沉积合成二硫化锡纳米片阵列，具体操作如下：将四氯化锡和硫粉置于管式炉上游中心加热区的石英舟中，将导电基体置于位于管式炉下游中心加热区的另一个石英舟上；反向通入氩气排除空气，将下游中心加热区在大气压力下以2-10℃/min的升温速率加热至400-550℃，同时上游中心加热区温度加热至200-350℃，保温1-3h；当温度达到设定值时，将气路系统切换为含有60s.c.c.m.氩气和20s.c.c.m.氢气的混合气体以正向气流流动，通过混合气体将氢气和产物气体运送到下游的基底上，持续沉积一段时间后反应结束，关闭正向气流，并通入大量的逆向氩气气流以终止产物继续在基底上沉积。
6.根据权利要求5所述SnS2/SnO2异质结纳米片阵列光阳极制备方法，其特征在于，通入氩气排除空气操作如下：加热过程前，通入氩气时间为30min；升温过程中的气路系统氩气流量设置为50-200s.c.c.m，反应结束后逆向氩气流量设置为50-200s.c.c.m。
7.根据权利要求1所述SnS2/SnO2异质结纳米片阵列光阳极制备方法，其特征在于，步骤(2)中马弗炉的温度为400-500℃，反应时间为1-20分钟，气氛环境为空气。
8.一种SnS2/SnO2异质结纳米片阵列光阳极，其特征在于，通过权利要求1-7任一种制备方法制得。
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