[发明专利]DKDP晶体长籽晶二维运动生长方法有效
| 申请号： | 202110341818.X | 申请日： | 2021-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN113089074B | 公开（公告）日： | 2023-01-20 |
| 发明（设计）人： | 陈端阳;李明伟;齐红基;邵建达;王斌;刘杭;尹华伟;周川 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所;重庆大学 |
| 主分类号： | C30B7/00 | 分类号： | C30B7/00;C30B29/14 |
| 代理公司： | 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317 | 代理人： | 张宁展 |
| 地址： | 201800 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | dkdp 晶体 籽晶 二维 运动 生长 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种DKDP晶体长籽晶二维运动生长方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：
在生长槽上部安装二维运动电机，该二维运动电机的下端与载晶架连杆相连；
通过二维运动电机带动载晶架在生长槽内的生长溶液中按照正方形的运动轨迹在水平面上作周期平动，直至长籽晶DKDP晶体生长结束。
2.根据权利要求1所述的DKDP晶体长籽晶二维运动生长方法，其特征在于，所述的载晶架按照正方形的运动轨迹在水平面上作周期平动，具体是指四条边均采用“速度从0以加速度a进行匀加速直线运动-速度达到V后维持匀速直线运动-以加速度a进行匀减速直线运动直至速度降为0”的运动模式。
3.根据权利要求2所述的DKDP晶体长籽晶二维运动生长方法，其特征在于，所述的正方形运动的单边长度范围为50～500mm。
4.根据权利要求2所述的DKDP晶体长籽晶二维运动生长方法，其特征在于，所述的匀加速直线运动的加速度a范围为0.01～1m/s2。
5.根据权利要求2所述的DKDP晶体长籽晶二维运动生长方法，其特征在于，所述的匀减速直线运动的速度V范围为0.01～1m/s。
6.根据权利要求1所述的DKDP晶体长籽晶二维运动生长方法，其特征在于，所述的生长槽横截面为正方形。
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