[发明专利]形成半导体器件的方法和半导体结构

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，包括:

提供一种结构，所述结构具有从衬底延伸的两个鳍和与所述鳍的底部部分相邻的隔离结构；

在所述隔离结构上方和所述鳍的顶部和侧壁上方形成覆盖层；

使用所述覆盖层作为蚀刻掩模使所述隔离结构凹进以暴露所述衬底；

在使所述隔离结构凹进之后，在所述衬底、所述隔离结构和所述覆盖层上方沉积密封层；

在所述密封层上方和所述两个鳍之间形成牺牲塞；以及

沉积位于所述牺牲塞上方以及横向地位于所述两个鳍之间的介电顶部覆盖件。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

使所述介电顶部覆盖件和所述密封层凹进，从而在所述两个鳍上的所述覆盖层之间形成间隙；以及

在所述间隙形成高-k介电帽。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述鳍上方形成伪栅极堆叠件和栅极间隔件；

蚀刻源极/漏极沟槽到所述鳍中并且与所述栅极间隔件相邻；

在所述源极/漏极沟槽中形成源极/漏极部件；以及

使用高-k金属栅极替代所述伪栅极堆叠件。

4.根据权利要求3所述的方法，还包括：

从所述结构的背侧减薄所述衬底直至暴露所述鳍；

在所述结构的所述背侧上方形成背侧介电层；

形成延伸穿过所述背侧介电层并且电连接至所述源极/漏极部件中的至少一个的背侧通孔；

在形成所述背侧通孔之后，对所述结构的所述背侧执行化学机械平坦化工艺直至暴露所述牺牲塞；

去除所述牺牲塞，从而从所述结构的所述背侧形成沟槽；以及

使用介电底部覆盖件密封所述沟槽，从而形成由所述密封层、所述介电顶部覆盖件和所述介电底部覆盖件包围的气隙。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述牺牲塞包括硅锗，所述密封层包括碳氮化硅，所述介电顶部覆盖件包括二氧化硅，并且所述介电底部覆盖件包括二氧化硅。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述覆盖层包括硅锗。

7.根据权利要求4所述的方法，其中所述背侧通孔在所述介电底部覆盖件之上延伸。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述鳍中的每个包括第一半导体层和第二半导体层彼此交替布置的堆叠件。

9.一种形成半导体器件的方法，包括：

提供一种结构，所述结构具有从衬底延伸的两个鳍以及与所述鳍的底部部分相邻的隔离结构，其中所述鳍中的每个包括交替地彼此堆叠的第一半导体层和第二半导体层；

在所述隔离结构上方和所述鳍的顶部和侧壁上方形成覆盖层；

使用所述覆盖层作为蚀刻掩模使所述隔离结构凹进以暴露所述衬底；

在所述衬底、所述隔离结构和所述覆盖层上方形成密封层；

形成填充所述两个鳍的相对侧壁上方的所述密封层之间的空间的牺牲塞，其中所述牺牲塞的顶表面在所述第一半导体层的最顶层下面；

在所述牺牲塞上方沉积介电顶部覆盖件；以及

在所述介电顶部覆盖件和所述密封层上方形成高-k介电帽，从而形成包括所述密封层、所述介电顶部覆盖件和所述高-k介电帽的介电鳍。

10.一种半导体结构，包括：

电源轨；

介电层，位于所述电源轨上方；

两个源极/漏极部件，位于所述介电层上方；

通孔结构，延伸穿过所述介电层并且将所述源极/漏极部件中的一个电连接至所述电源轨；以及

介电鳍，横向地设置在所述两个源极/漏极部件之间，其中所述介电鳍包括位于所述源极/漏极部件的侧壁上方的两个密封介电部件；位于所述密封介电部件的底部部分之间的介电底部覆盖件；位于所述密封介电部件的顶部部分之间的介电顶部覆盖件；以及由所述密封介电部件、所述介电底部覆盖件和所述介电顶部覆盖件包围的气隙，其中所述通孔结构的顶表面在所述介电底部覆盖件的顶表面之上。