[发明专利]一种无磁化的VCSEL激光器封装结构在审
| 申请号： | 202110340762.6 | 申请日： | 2021-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN113193473A | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 关宝璐;付丽珊;张峰;黎豪;王宏卓 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01S5/02218 | 分类号： | H01S5/02218;H01S5/02315;H01S5/02345;H05K9/00 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 聂俊伟 |
| 地址： | 100022 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 磁化 vcsel 激光器 封装 结构 | ||
1.一种无磁化的VCSEL激光器封装结构，其特征在于，包括：垂直腔面发射激光器、热敏电阻、半导体制冷器、无磁封装底座、无磁罩体和增透窗口层；
所述半导体制冷器的一端与所述无磁封装底座焊接，所述半导体制冷器的另一端涂覆焊锡后与所述垂直腔面发射激光器和所述热敏电阻焊接；
所述无磁罩体的下端开口处贴合于所述无磁封装底座上，所述垂直腔面发射激光器、所述热敏电阻和所述半导体制冷器均位于所述无磁罩体的内部空间；
所述增透窗口层设置于所述无磁罩体的上端开口处。
2.根据权利要求1所述的无磁化的VCSEL激光器封装结构，其特征在于，所述增透窗口层的材质为具有高透过率石英玻璃；
在所述增透窗口层靠近所述无磁罩体一侧的表面镀设有增透膜；
在所述增透窗口层靠近所述无磁罩体一侧的表面还镀设有石墨烯磁隔绝层。
3.根据权利要求1所述的无磁化的VCSEL激光器封装结构，其特征在于，在所述无磁罩体的内表面和/或外表面，包覆有石墨烯磁隔绝层。
4.根据权利要求1所述的无磁化的VCSEL激光器封装结构，其特征在于，在所述无磁封装底座上设置有多个无磁引脚；
所述无磁引脚分布式的贯穿设置于所述无磁封装底座中，并与所述无磁封装底座的本体结构焊接固定；
每个所述无磁引脚的下端，突出于所述无磁封装底座的下表面；
所述垂直腔面发射激光器的正负极、所述热敏电阻的正负极以及所述半导体制冷器的接口分别与不同的无磁引脚的上端相焊接。
5.根据权利要求4所述的无磁化的VCSEL激光器封装结构，其特征在于，所述垂直腔面发射激光器的正负极、所述热敏电阻的正负极以及所述半导体制冷器的接口分别与不同的无磁引脚的上端通过金丝压焊连接。
6.根据权利要求1所述的无磁化的VCSEL激光器封装结构，其特征在于，所述垂直腔面发射激光器的欧姆接触是采用具有良好欧姆接触的无磁性材料制备的。
7.根据权利要求6所述的无磁化的VCSEL激光器封装结构，其特征在于，所述具有良好欧姆接触的无磁性材料为铬金材料。
8.根据权利要求1所述的无磁化的VCSEL激光器封装结构，其特征在于，所述无磁封装底座是采用无磁铝基板材料制备的。
9.根据权利要求4所述的无磁化的VCSEL激光器封装结构，其特征在于，所述无磁罩体和所述无磁引脚是采用具有良好焊接接触的无磁性材料制备的。
10.根据权利要求9所述的无磁化的VCSEL激光器封装结构，其特征在于，所述具有良好焊接接触的无磁性材料为铜。
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