[发明专利]一种促进纳米银线结点焊接成连续低阻导电网络的化学方法

说明书

本发明公开了一种促进纳米银线结点焊接成连续低阻导电网络的化学方法，其施工流程有涂布固化干燥→浸入溶液A→纯水洗涤→浸入溶液B→纯水洗涤→烘干，其溶液主要成分与质量含量为：溶液A：银氨溶液或硝酸银等银盐+还原剂(葡萄糖、抗坏血酸等)+碱性助剂，溶液B：卤盐溶液，如氟化钠(NaF)水溶液，包括以下六个步骤。本发明公开的方法，可将TCFs阻值降低50％以上，且整个过程还确保了TCFs透光率无明显改变，可满足大尺寸柔性触摸屏对高触控灵敏度的需求，该方法简单易行，无须增加物理热压、等离子处理、光辐照处理等昂贵设备，也不涉及到环境不友好试剂，省时高效，条件宽泛温和，经济适用，适合工业化大规模生产。

技术领域

本发明涉及纳米银线点焊技术领域，具体为一种促进纳米银线结点焊接成连续低阻导电网络的化学方法。

背景技术

随着光电设备日渐趋于小型化、精密化和高性能化，使其成为可折叠的便于携带的产品，因此，对透明导电薄膜质量的要求越来越高，进而对薄膜制备工艺的要求也越来越高，尽管透明导电薄膜具有许多突出的优点，但是如何在高透光率下获得低的片电阻仍然是一个挑战，这是亟待解决的问题，AgNWs网络的电导性明显取决于AgNWs之间的连接，以传统方法制备的AgNWs网络存在较大的接触电阻和接触稳定性问题，不利于电子设备的精细化应用，AgNWs网络的电导性明显取决于AgNWs之间的连接，在薄膜上形成搭载网格结构以获得优异的导电性能。

而传统的高温退火焊接、等离子焊接、焦耳热焊接、高温热压等方法，其高温过程对玻璃化相变温度低的塑料类基底材料会造成不同程度的损坏，影响TCFs的稳定性和可弯曲性，且高光功率密度也会极大限制在大规模生产中的应用。

CN109727704A公开的光照焊接方法，即光子烧结，可在一定程度上降低纳米银线的节点阻值，提高TCFs的可弯曲性和银线与基底材料的粘合性，但阻值降低非常有限(光子烧结后的阻值均在＞70Ωsq-1 at 550nm)，其效果远不能达到大尺寸触摸屏技术要求(＜30Ωsq-1 at 550nm)，而且光伏焊接设备昂贵，在大尺寸领域的规模化生产和技术应用存在明显瓶颈。

CN111112862A公开的方法虽然没有涉及弱还原剂，实施条件温和宽泛，但效果十分有限，导电薄膜阻值在用该专利公布的方法处理后仅降低20％左右，远不能满足大尺寸(55寸以上)柔性触控显示的高灵敏度需求，说明依然不能有效降低纳米银线搭接点的接触电阻。

CN105568270B和CN105702381B使用化学焊接液浸泡或浸涂塑料基底和纳米银线涂层，可以强化纳米银线叠加和局部熔焊而实现降低导电薄膜阻值，但化学镀液的配制过于繁琐，还会用到浓硝酸，到工业化量产应用仍然有很长的路要走。

CN105575477B和CN109735833A的方法涉及新鲜配制含银源和还原剂的化学镀液对纳米银线透明导电薄膜进行浸润，方阻有明显降低，但牺牲了透光率和雾度等光学性能，要在大尺寸触摸屏上达到量产应用，还需要做进一步改进。

另外，上述专利公开的方法，均未很好解决纳米银线网络与基底质检粘合性和附着力，导致TCFs的性能稳定性和寿命都得不到保证。

为了解决上述化学焊接纳米银线的缺陷，同时考虑到工业规模化生产和环境友好，有必要在不牺牲TCFs光电性能，同时能提高TCFs稳定性和抗弯曲性的前提下，开发一种经济适用且条件温和宽泛的化学镀结点焊接法。

发明内容

本发明的目的在于提供一种促进纳米银线结点焊接成连续低阻导电网络的化学方法，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：