[发明专利]一种薄膜连续度的确定方法及确定薄膜连续度的系统

权利要求书

1.一种薄膜连续度的确定方法，其特征在于，所述方法包括：

确定待测样品中的目标区域，其中，所述目标区域包括待测薄膜和覆盖于所述待测薄膜相对两侧的其他材料层；

沿所述其他材料层和所述待测薄膜的堆叠方向，对所述目标区域进行能谱分析，以获取所述待测薄膜中的目标元素的电子能量损失谱；

对所述电子能量损失谱进行图像处理，得到所述目标元素的信号强度分布直方图；

通过所述信号强度分布直方图，确定所述待测薄膜的孔隙比；

根据所述孔隙比确定所述待测薄膜的连续度。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过所述信号强度分布直方图，确定所述待测薄膜的孔隙比，包括：

对所述信号强度分布直方图进行高斯拟合，得到高斯拟合曲线；

通过所述高斯拟合曲线，确定所述待测薄膜的信号强度的中值；

根据所述信号强度的中值，确定所述待测薄膜的孔隙比。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，根据所述信号强度的中值，确定所述待测薄膜的孔隙比，包括：

将与所述中值具有预设比例的数值，确定为所述待测薄膜的信号强度阈值；

对第一信号强度区间中的信号强度所对应的像素数量进行积分，获取第一像素数量，其中，所述第一信号强度区间是所述信号强度分布直方图中小于所述信号强度阈值的信号强度区间；

对第二信号强度区间中的信号强度所对应的像素数量进行积分，获取第二像素数量，其中，所述第二信号强度区间是所述信号强度分布直方图中的全部信号强度所对应的信号强度区间；

将所述第一像素数量与所述第二像素数量的比值，确定为所述待测薄膜的孔隙比。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述待测样品包括单层的所述待测薄膜。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述待测样品包括具有沟道孔的三维存储器阵列；所述三维存储器阵列由氧化物层和栅线交替堆叠形成，且所述栅线至少包括金属层和覆盖于所述金属层相对两侧的氮化钛薄膜；

所述待测薄膜包括位于相邻的所述金属层和所述氧化物层之间的所述氮化钛薄膜，所述其他材料层包括所述金属层和所述氧化物层。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述确定待测样品中的目标区域，包括：

获取所述待测样品位于预设能量损失区间的目标电子能量损失谱，所述预设能量损失区间包括0至50eV；

通过所述目标电子能量损失谱，测量所述待测样品中多个区域的厚度；

将所述厚度小于预设厚度的任意一个区域，确定为所述目标区域，其中，所述预设厚度包括20nm。

7.一种确定薄膜连续度的系统，其特征在于，所述系统包括：电子能量损失谱获取模块、图像处理模块和薄膜连续度确定模块；

其中，所述电子能量损失谱获取模块，用于确定待测样品中的目标区域，所述目标区域包括待测薄膜和覆盖于所述待测薄膜相对两侧的其他材料层；并沿所述其他材料层和所述待测薄膜的堆叠方向，对所述目标区域进行能谱分析，以获取所述待测薄膜中的目标元素的电子能量损失谱；

所述图像处理模块，用于对所述电子能量损失谱进行图像处理，得到所述目标元素的信号强度分布直方图；

所述薄膜连续度确定模块，用于通过所述信号强度分布直方图，确定所述待测薄膜的孔隙比，并根据所述孔隙比确定所述待测薄膜的连续度。

8.根据权利要求7所述的系统，其特征在于，所述系统还包括：制样模块；

所述制样模块，用于分别沿垂直于沟道孔的延伸方向和平行于所述沟道孔的延伸方向，对三维存储器阵列进行减薄处理，以获得所述待测样品。