[发明专利]一种无机化合物晶体CsSb5S8及其制备方法、应用有效
| 申请号： | 202110340013.3 | 申请日： | 2021-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN113235163B | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 陈文发;郭国聪;姜小明;刘彬文 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B1/10 |
| 代理公司： | 北京元周律知识产权代理有限公司 11540 | 代理人： | 张琦 |
| 地址： | 350002 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 无机化合物 晶体 cssb5s8 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种无机化合物晶体的制备方法，其特征在于，将含有钡元素、锑元素、硫元素、铯元素的原料混合物，在抽真空条件下，于700℃～900℃温度下发生反应，降温得到；
所述的无机化合物晶体的化学式CsSb5S8，属于单斜晶系，空间群为P21/n。
2.根据权利要求1所述的无机化合物晶体的制备方法，其特征在于，所述无机化合物晶体为一维无穷大的带状结构由多个[SbS3]和[SbS4]单元共角和共边形成，Cs离子作为电荷补偿离子通过离子键将这些带状结构连接起来。
3.根据权利要求1所述的无机化合物晶体的制备方法，其特征在于，所述无机化合物晶体的晶胞参数为Z＝4。
4.根据权利要求3所述的无机化合物晶体的制备方法，其特征在于，晶胞参数为
5.根据权利要求4所述的无机化合物晶体的制备方法，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的无机化合物晶体的制备方法，其特征在于，所述原料混合物中，钡元素、锑元素、硫元素、铯元素的摩尔比例为：
Ba：Sb：S：Cs＝1：4～6：7～10：5～9。
7.根据权利要求6所述的无机化合物晶体的制备方法，其特征在于，所述原料混合物中，钡元素、锑元素、硫元素、铯元素的摩尔比例为：
Ba：Sb：S：Cs＝1：4.5～5.5：8～9：6～8。
8.根据权利要求1所述的无机化合物晶体的制备方法，其特征在于，所述原料混合物中，钡元素来自钡单质、氯化钡、硫化钡中的至少一种；
锑元素来自锑单质、硫化锑中的至少一种；
硫元素来自硫单质、硫化锑中的至少一种；
铯元素来自铯单质、氯化铯中的至少一种。
9.根据权利要求8所述的无机化合物晶体的制备方法，其特征在于，所述原料混合物中，钡元素来自钡单质和/或氯化钡，锑元素来自锑单质，硫元素来自硫单质，铯元素来自氯化铯。
10.根据权利要求1所述的无机化合物晶体的制备方法，其特征在于，所述反应的温度为720℃～880℃，反应的时间为80～110h。
11.根据权利要求10所述的无机化合物晶体的制备方法，其特征在于，所述反应的温度为780℃～820℃，反应的时间为90～100h。
12.根据权利要求1所述的无机化合物晶体的制备方法，其特征在于，所述抽真空后的压强为1×10-4～2×10-4Pa。
13.根据权利要求1所述的无机化合物晶体的制备方法，其特征在于，所述降温的速率为0.5～10℃/h。
14.根据权利要求13所述的无机化合物晶体的制备方法，其特征在于，所述降温的速率为0.5～6℃/h。
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