[发明专利]对准标记数获取方法和装置

说明书

本申请提供一种对准标记数获取方法和装置，该方法包括：获取曝光机在进行第一晶圆曝光时的第一时间，以及获取曝光机在进行第二晶圆对准时的第二时间；当晶圆位于曝光平台时定义晶圆为第一晶圆，第一晶圆具有曝光参数，当晶圆位于对准平台时定义晶圆为第二晶圆，第二晶圆具有对准标记数；当第一时间小于第二时间时，获取第二时间和第一时间之间的第一时间差；当第一时间差大于预设值时，根据第一晶圆的曝光参数和对应关系确定第二晶圆的目标对准标记数，其中对应关系是曝光参数和对准标记数之间的关系，对应关系用于使得第一时间差小于或等于预设值；输出目标对准标记数。本申请可以提高曝光机的光刻曝光效率，提高半导体制品的制作效率。

技术领域

本申请涉及半导体光刻曝光技术，尤其涉及一种对准标记数获取方法和装置。

背景技术

曝光机是指通过开启灯光发出紫外线，将胶片和其他透体上的图像信息转移到涂有感光物质的表面上的设备。在对半导体进行光刻曝光制作产品时，先在基板上涂覆一层感光材料(如液态感光胶、光敏抗蚀干膜等)，然后对涂覆在基材上的光敏性物质进行光辐射，使其溶解性发生变化，在显影液作用下，未感光部分的感光材料溶解，感光部分的感光材料留在基材上形成图像。

在对半导体进行光刻曝光时，曝光机上设置有对准平台和曝光平台，一个晶圆的光刻曝光要依次完成对准过程和曝光过程。在曝光机的实际使用中，一般需要连续对多个晶圆进行光刻曝光，即基于曝光平台对一个晶圆进行曝光过程，同时基于对准平台对另一个晶圆进行对准过程。如果在完成对一个晶圆的曝光过程时，另一个晶圆还未完成对准过程，则需要等对准过程完成后才能进行曝光；这部分等待时间就会降低曝光机的光刻曝光效率。即，缩短该一个晶圆的曝光时间和该下一个晶圆的对准时间之间的差值，可以有效得提高曝光机的光刻曝光效率，从而提高半导体制品的制作效率。

而晶圆在进行对准时的对准时间又与晶圆的对准标记数有关，对准标记数越多则对准时间越长，因此，如何确定合适的对准标记数，以提高曝光机的光刻曝光效率，提高半导体制品的制作效率，仍然是需要考虑的问题。

发明内容

本申请提供一种对准标记数获取方法和装置，用以提高半导体制品的制作效率。

一方面，本申请提供一种对准标记数获取方法，包括：

获取曝光机在进行第一晶圆曝光时的第一时间，以及获取曝光机在进行第二晶圆对准时的第二时间；其中，所述曝光机包括对准平台和曝光平台，当晶圆位于曝光平台时定义所述晶圆为所述第一晶圆，所述第一晶圆具有曝光参数，当晶圆位于对准平台时定义所述晶圆为所述第二晶圆，所述第二晶圆具有对准标记数；同一晶圆依次经过对准平台和曝光平台以完成曝光工艺；

当所述第一时间小于所述第二时间时，获取所述第二时间和所述第一时间之间的第一时间差；

当所述第一时间差大于预设值时，根据所述第一晶圆的曝光参数和对应关系确定所述第二晶圆的目标对准标记数，其中所述对应关系是曝光参数和对准标记数之间的关系，所述对应关系用于使得所述第一时间差小于或等于所述预设值；

输出所述目标对准标记数。

其中一个实施例中，还包括：

当历史第一时间差小于或等于所述预设值时，获取与所述历史第一时间差对应的第一晶圆曝光参数和第二晶圆对准标记数；其中，所述历史第一时间差是历史第一时间和历史第二时间之间的差值，所述历史第一时间为所述曝光机在进行所述第一晶圆的历史曝光时的时间，所述历史第二时间为所述曝光机在进行所述第二晶圆的历史对准时的时间；

根据多个所述第一晶圆曝光参数和多个所述第二晶圆对准标记数获取所述对应关系。

其中一个实施例中，所述第一晶圆曝光参数包括第一晶圆曝光能量和第一晶圆曝光区域数。