[发明专利]半导体封装及其制造方法

说明书

半导体封装及其制造方法。本发明提供一种半导体封装和一种制造半导体封装的方法。作为非限制性实例，本发明的各个方面提供一种半导体封装及其制造方法，所述半导体封装包括：衬底，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，且包括形成于从所述第一表面朝向所述第二表面的方向中的至少一个第一凹口部分、形成于所述第一凹口部分中的多个第一凹口导电图案以及第一无源元件，所述第一无源元件插入到所述衬底的所述第一凹口部分中且具有电连接到所述多个第一凹口导电图案的第一电极和第二电极。

相关申请案的交叉参考/以引用的方式并入

本申请案参考2015年7月13日在韩国知识产权局申请的且标题为“半导体封装(SEMICONDUCTOR PACKAGE)”的第10-2015-0099070号韩国专利申请案，且主张其优先权和主张其权益，所述专利申请案的内容在此全文以引用的方式并入本文中。

技术领域

本发明涉及半导体封装及其制造方法。

背景技术

目前的半导体封装体及用于形成半导体封装体的方法不适当，例如，引起成本过量、可靠度降低或封装大小过大。通过比较常规和传统方法与如在本申请案的其余部分中参考图式阐述的本发明，所属领域的技术人员将显而易见此类方法的另外的局限性和缺点。

发明内容

本发明的各个方面提供一种半导体封装和一种制造半导体封装的方法。作为非限制性实例，本发明的各个方面提供一种半导体封装及其制造方法，所述半导体封装包括：衬底，其具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，且包括形成于从第一表面朝向第二表面的方向中的至少一个第一凹口部分、形成于所述第一凹口部分中的多个第一凹口导电图案以及第一无源元件，所述第一无源元件插入到衬底的第一凹口部分中且具有电连接到所述多个第一凹口导电图案的第一电极和第二电极。

附图说明

图1A到1D是循序说明根据本发明的实施例的半导体封装的制造方法的横截面图；

图2为说明根据本发明的另一实施例的半导体封装的横截面图；

图3为说明根据本发明的又一实施例的半导体封装的横截面图；

图4A到4M是循序说明根据本发明的另一实施例的半导体封装的制造方法的横截面图；

图5为说明根据本发明的又一实施例的半导体封装的横截面图；

图6A到6M是循序说明根据本发明的实施例的半导体封装的制造方法的横截面图；以及

图7A到7F是循序说明图6I中说明的衬底的另一制造方法的横截面图。

具体实施方式

以下论述通过提供本发明的实例来呈现本发明的各种方面。此类实例是非限制性的，并且由此本发明的各种方面的范围应不必受所提供的实例的任何特定特性限制。在以下论述中，短语“举例来说”、“例如”和“示范性”是非限制性的且通常与“借助于实例而非限制”“例如且非限制”等等同义。

如本文中所使用，“和/或”意指通过“和/或”联结的列表中的项目中的任何一个或多个。作为一实例，“x和/或y”意指三元素集合{(x)，(y)，(x,y)}中的任何元素。换句话说，“x和/或y”意指“x和y中的一或两者”。作为另一实例，“x、y和/或z”意指七元素集合{(x)，(y)，(z)，(x,y)，(x,z)，(y,z)，(x,y,z)}中的任何元素。换句话说，“x、y和/或z”意指“x、y和z中的一或多者”。

本文中所使用的术语仅出于描述特定实例的目的，且并不意图限制本发明。如本文中所使用，除非上下文另外明确指示，否则单数形式也意图包含复数形式。将进一步理解，术语“包括”、“包含”、“具有”等等当在本说明书中使用时，表示所陈述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件的存在，但是不排除一或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其群组的存在或添加。