[发明专利]显示装置在审
| 申请号: | 202110338436.1 | 申请日: | 2021-03-30 |
| 公开(公告)号: | CN113471253A | 公开(公告)日: | 2021-10-01 |
| 发明(设计)人: | 宋贤奎;丁喜星;金仙花;郑铉浩;洪相玟 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京钲霖知识产权代理有限公司 11722 | 代理人: | 李英艳;陈俊 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示装置 | ||
本公开的实施例涉及一种显示装置,所述显示装置包括:基底;显示元件,在所述基底上;覆盖层,在所述显示元件上;光学层,在所述覆盖层上,并且包括:第一光学层,在所述显示元件上;以及第二光学层,在所述第一光学层上;以及薄膜封装层,在所述光学层上,并且包括:第一无机封装层,在所述第二光学层上;辅助层,在所述第一无机封装层上;有机封装层,在所述辅助层上;以及第二无机封装层,在所述有机封装层上。所述第二光学层的折射率小于所述覆盖层的折射率,并且所述第一光学层的折射率在所述第二光学层的所述折射率和所述覆盖层的所述折射率之间。
本申请要求于2020年3月30日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0038235号韩国专利申请的优先权和权益,该韩国专利申请的内容通过引用被全部包含在本文中。
技术领域
本公开的实施例的方面涉及一种显示装置。
背景技术
近年来,显示装置的使用目的已经多样化。另外,因为显示装置的厚度和重量正在减小,所以显示装置的使用范围正在增加,并且因此对可以在各种领域中使用的显示装置的研究正在持续地进行。
提供在显示装置中的显示元件发射预定颜色的光以提供图像,并且所发射的光可以穿过用于密封显示元件的密封构件。在密封构件具有多层堆叠的结构的情况下,从显示元件发射的光可能经历由于密封构件的膜厚度引起的干涉。
在本背景技术部分中公开的上述信息是用于增强对本公开的背景的理解,并且因此上述信息可能包含不构成现有技术的信息。
发明内容
本公开的一个或多个示例性实施例是针对一种通过在显示元件和密封构件之间布置光学层而能够在一角度(例如,特定角度或者预定角度)处减小色偏(例如,特定色偏或者预定色偏)的显示装置。
然而,本公开的方面和特征不限于上文所述,并且通过参照下面给出的本公开的详细描述和/或通过实践本公开的一个或多个实施例,本公开的上文所述以及其它方面和特征对于本公开所属领域的普通技术人员而言将变得更明显。
根据本公开的一个或多个示例性实施例,一种显示装置包括:基底;显示元件,在所述基底上;覆盖层,在所述显示元件上;光学层,在所述覆盖层上,并且包括:第一光学层,在所述显示元件上;以及第二光学层,在所述第一光学层上;以及薄膜封装层,在所述光学层上,并且包括:第一无机封装层,在所述第二光学层上;辅助层,在所述第一无机封装层上;有机封装层,在所述辅助层上;以及第二无机封装层,在所述有机封装层上。所述第二光学层的折射率小于所述覆盖层的折射率,并且所述第一光学层的折射率在所述第二光学层的所述折射率和所述覆盖层的所述折射率之间。
在一示例性实施例中,所述第一光学层的所述折射率可以在从1.62至1.89的范围内,并且所述第一光学层的厚度可以在从20nm至60nm的范围内。
在一示例性实施例中,所述第二光学层的所述折射率可以在从1.45至1.62的范围内,并且所述第二光学层的厚度可以在从40nm至100nm的范围内。
在一示例性实施例中,所述覆盖层的所述折射率可以在从1.6至2.3的范围内,并且所述覆盖层的厚度可以在从30nm至120nm的范围内。
在一示例性实施例中,所述辅助层的厚度可以在从30nm至100nm的范围内,并且所述第一无机封装层的厚度可以在从400nm至2200nm的范围内。
在一示例性实施例中,所述辅助层可以插置在所述第一无机封装层和所述有机封装层之间,所述第一无机封装层的折射率可以大于所述辅助层的折射率,并且所述辅助层的所述折射率可以在所述第一无机封装层的所述折射率和所述有机封装层的折射率之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





