[发明专利]偏置电路及射频功率放大器

说明书

本申请公开了一种偏置电路及射频功率放大器。其中，偏置电路包括：控制环路，用于向射频功率放大器的输入端输出偏置电流；调节电路，用于在确定所述控制环路输出的偏置电流能够满足第一条件的情况下，基于米勒效应调节所述控制环路的环路带宽，以使所述控制环路的稳定性和噪声抑制度满足第二条件。采用本申请的方案，射频功率放大器的输入信号的带宽增大时，在保证偏置电流能够补偿射频功率放大器的基极电流，使得所述基极电流不随输入信号的功率的增大而降低，从而抑制射频功率放大器的幅度调制对幅度调制（AM‑AM）失真的前提下，能够减少偏置电路可能产生的电路振荡及噪声对射频功率放大器接收信号时的灵敏度的影响，提升射频功率放大器的性能。

技术领域

本申请涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种偏置电路及射频功率放大器。

背景技术

与第四代移动通信技术（4G，4th Generation）的长期演进（LTE，Long TermEvolution）系统相比，第五代移动通信技术（5G，5th Generation）的新空口（NR，NewRadio）系统对数据传输速率有了更高的要求，需要用带宽更宽的调制信号来传输数据，以频段N41（2490兆赫兹（MHz）至2690MHz）为例，最大调制信号带宽从40MHz扩展到100MHz，这给移动终端中射频功率放大器的设计提出了新的挑战，如何提升射频功率放大器的性能成为亟待解决的问题。

发明内容

为解决相关技术问题，本申请实施例提供一种偏置电路及射频功率放大器。

本申请实施例的技术方案是这样实现的：

本申请实施例提供了一种偏置电路，包括：

控制环路，用于向射频功率放大器的输入端输出偏置电流；

调节电路，用于在确定所述控制环路输出的偏置电流能够满足第一条件的情况下，基于米勒效应调节所述控制环路的环路带宽，以使所述控制环路的稳定性和噪声抑制度满足第二条件；其中，

所述第一条件表征所述偏置电流能够补偿所述射频功率放大器的基极电流，使得所述基极电流不随输入信号的功率的增大而降低；

所述第二条件表征所述控制环路的相位裕度大于或等于45度，且所述控制环路的噪声抑制度能够使得所述射频功率放大器的噪声小于或等于噪声阈值。

上述方案中，所述调节电路包括米勒单元；所述调节电路基于所述米勒单元的米勒效应调节所述控制环路的环路带宽。

上述方案中，所述米勒单元与所述控制环路的第一晶体管并联；其中，

所述控制环路包括所述第一晶体管、第二晶体管和第一电阻；所述第一晶体管的集电极连接所述第二晶体管的基极；所述第二晶体管的发射极连接所述第一电阻的一端；所述第一电阻的另一端连接所述第一晶体管的基极；外部电流源通过所述第一晶体管和所述第二晶体管之间的第一节点向所述控制环路输入电流；所述控制环路将输入的电流转化为所述偏置电流，并通过所述第二晶体管的发射极输出到所述射频功率放大器的输入端。

上述方案中，所述米勒单元包括第一电容。

上述方案中，所述第一电容为可变电容。

上述方案中，所述调节电路还包括第二电阻；所述第一电容和所述第二电阻与所述第一晶体管并联；其中，

所述调节电路通过所述第二电阻调节所述控制环路的传输零点，以使所述控制环路的稳定性满足第三条件；所述传输零点是所述第一晶体管与所述第一电容并联所引入的；所述第三条件表征所述控制环路的相位裕度大于或等于45度。

上述方案中，所述第一电容和所述第二电阻通过所述第一晶体管的集电极和基极与所述第一晶体管并联。

上述方案中，所述调节电路还包括第三电阻；所述第三电阻与所述第一晶体管串联；其中，