[发明专利]一种蓝光钙钛矿薄膜及其制备、倒装准二维蓝光钙钛矿发光二极管有效
申请号: | 202110336876.3 | 申请日: | 2021-03-26 |
公开(公告)号: | CN113130802B | 公开(公告)日: | 2022-10-25 |
发明(设计)人: | 王坚;张斌斌;麦超晃;李妙姿;李海华 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人: | 陈智英 |
地址: | 510640 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 蓝光钙钛矿 薄膜 及其 制备 倒装 二维 发光二极管 | ||
1.一种蓝光钙钛矿薄膜在蓝光钙钛矿发光二极管中的应用,其特征在于:所述蓝光钙钛矿薄膜用作发光层;
所述蓝光钙钛矿发光二极管为倒装结构;
所述蓝光钙钛矿薄膜设置于蓝光钙钛矿发光二极管的界面层上;
所述蓝光钙钛矿薄膜的制备方法,包括以下步骤:
1)采用有机溶剂将溴化铅、大基团有机卤化物和溴化铯配成钙钛矿前驱体溶液;所述大基团有机卤化物为对氟苯乙胺溴;
2)将前驱体溶液进行旋涂,并在旋涂过程中滴加反溶剂,除去溶剂后,得到蓝光钙钛矿薄膜;
步骤1)中所述钙钛矿前驱体溶液中,溴化铅的浓度为0.1-0.2 mmol/mL、溴化铯的浓度为0.05-0.1 mmol/mL,大基团有机卤化物和溴化铯的摩尔比为(2-4):1;
步骤2)中所述反溶剂为铯铅卤化物钙钛矿的不良溶剂;
步骤2)中所述反溶剂在钙钛矿前驱体溶液开始结晶时加入,通过紫外照射刚出现蓝光加入反溶剂;
步骤1)中所述有机溶剂为二甲基亚砜、N,N-二甲基甲酰胺、γ-丁内酯中一种以上;
步骤2)中所述反溶剂为苯、氯苯、甲苯、环己烷、乙酸乙酯、氯仿中一种以上;
步骤2)中所述旋涂的转速为2000-5000 rpm;
所述蓝光钙钛矿薄膜的厚度为15-100 nm;
步骤2)中前驱体溶液旋涂在界面层上。
2.一种倒装准二维蓝光钙钛矿发光二极管,其特征在于:为倒装结构,从下到上依次包括阴极、电子传输层、界面层、发光层、空穴传输层、空穴注入层、阳极;所述发光层为权利要求1所述的蓝光钙钛矿薄膜。
3.根据权利要求2所述倒装准二维蓝光钙钛矿发光二极管,其特征在于:所述界面层为聚乙烯亚胺、聚乙氧基乙烯亚胺、聚乙烯醇、聚环氧乙烷、聚乙二醇、修饰的聚乙二醇、聚乙烯吡咯烷酮中一种以上所形成的膜层,界面层的厚度为1-8 nm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择