[发明专利]半导体结构及半导体结构制作方法

说明书

本发明实施例提供一种半导体结构及半导体结构制作方法，属于半导体技术领域，以解决第二导电块与位线之间容易产生寄生电容及发生漏电的技术问题。本发明实施例的半导体结构包括基底、位线结构以及电容连接线，多个位线结构设置在基底上，相邻的位线结构之间形成有接触孔；电容连接线包括第一导电块和第二导电块，第一导电块和第二导电块依次填充在接触孔内，第一导电块的顶端设置有倒角结构，倒角结构与位线结构邻接，第二导电块底端与倒角结构配合。本发明实施例的半导体结构增大了第二导电块与位线结构之间的距离，防止第二导电块与位线结构之间产生寄生电容，且防止发生漏电，提高了半导体结构的性能。

技术领域

本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种半导体结构及半导体结构制作方法。

背景技术

动态随机存储器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是计算机中常用的半导体存储器件。动态随机存储器通常包括电容结构和晶体管结构，晶体管结构与电容结构相连，以通过晶体管结构读取存储在电容结构中的数据，或者将数据写入到电容结构中。

相关技术中，晶体管结构包括基底以及设置在基底上的位线结构，多个位线结构平行且间隔设置，位线结构内设置有位线，相邻位线结构之间填充有电容连接线，电容连接线的一端与基底内的晶体管结构连接，电容连接线的另一端与电容结构连接，以实现电容结构与晶体管结构之间的连接。电容连接线包括沿垂直于基底方向依次层叠设置的第一导电块和第二导电块，第二导电块与电容结构连接，第一导电块与基底内的晶体管结构连接。

然而，第二导电块与位线之间容易产生寄生电容，且容易发生漏电。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种半导体结构及半导体结构制作方法，以解决第二导电块与位线之间容易产生寄生电容及发生漏电的技术问题。

本发明实施例一方面提供一种半导体结构，包括：基底、位线结构以及电容连接线，位线结构设置在基底上，位线结构在基底的顶面延伸；位线结构为多个，多个位线结构在基底的顶面上平行且间隔的设置，相邻的位线结构之间形成有接触孔；

电容连接线包括第一导电块和第二导电块，第一导电块和第二导电块依次填充在接触孔内，第一导电块的顶端设置有倒角结构，倒角结构与位线结构邻接，第二导电块底端与倒角结构配合；倒角结构为倒圆角；倒角结构还具有过渡壁，过渡壁位于倒圆角的顶端，过渡壁与位线结构邻接，倒角结构与第一导电块为一体结构。

本发明实施例提供的半导体结构，基底的顶面上设置有多个位线结构，多个位线结构平行且间隔设置，相邻位线结构之间形成有接触孔；电容连接线具有第一导电块和第二导电块，第一导电块和第二导电块依次填充于接触孔内；第一导电块的顶端设置有与位线结构邻接的倒角结构，第二导电块与倒角结构配合。本发明实施例的半导体结构中，倒角结构与位线结构邻接，可以增大第二导电块与位线之间的距离，避免第二导电块与位线之间形成寄生电容，同时可以阻止第二导电块与位线之间发生漏电，以提高半导体结构的性能。

本发明实施例另一方面提供一种半导体结构形成方法，包括：

提供基底；在基底上形成位线结构，位线结构在基底的顶面上延伸，位线结构为多个，多个位线结构在基底的顶面上平行且间隔的设置，相邻的位线结构之间形成接触孔；在接触孔内形成第一导电块，第一导电块的顶端形成倒角结构，倒角结构为倒圆角，倒角结构还具有过渡臂，过渡臂位于倒圆角的顶端，过渡臂与位线结构邻接，倒角结构与位线结构邻接，倒角结构与第一导电块为一体结构；在接触孔内形成第二导电块，第二导电块位于第一导电块的顶端，第二导电块的底端与倒角结构配合。

本发明实施例所提供的半导体结构及半导体结构制作方法，用于制作上述半导体结构。

附图说明