[发明专利]振荡器及电子装置

权利要求书

1.一种振荡器，其特征在于，包括交叉耦合对管、连接在所述交叉耦合对管与电源电压端之间的多个分支电路、连接在所述交叉耦合对管与地端之间的多个尾电流源以及连接所述交叉耦合对管的谐振电容；每个所述分支电路包括与所述交叉耦合对管串联的可变电阻；各个所述尾电流源受控于同一恒定电压信号。

2.如权利要求1所述的振荡器，其特征在于，所述交叉耦合对管包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管的漏端连接所述第二晶体管的栅端以及相应的一个所述分支电路，所述第一晶体管的栅端连接所述第二晶体管的漏端以及相应的另一个所述分支电路，所述第一晶体管的源端连接一个所述尾电流源以及所述谐振电容的一端，所述第二晶体管的源端连接另一个所述尾电流源以及所述谐振电容的另一端。

3.如权利要求2所述的振荡器，其特征在于，每个所述分支电路还包括负载晶体管，所述负载晶体管的栅端和漏端连接；所述负载晶体管连接在所述电源电压端和所述可变电阻之间或者连接在所述可变电阻和所述交叉耦合对管之间。

4.如权利要求3所述的振荡器，其特征在于，所述第一晶体管和所述第二晶体管均为NMOS晶体管，所述负载晶体管为NMOS晶体管或者PMOS晶体管。

5.如权利要求1所述的振荡器，其特征在于，每个所述尾电流源包括尾电流晶体管，所述尾电流晶体管连接在所述交叉耦合对管和所述地端之间，且所述尾电流晶体管的栅端接入所述恒定电压信号。

6.如权利要求5所述的振荡器，其特征在于，所述尾电流晶体管为NMOS晶体管或PMOS晶体管。

7.如权利要求1-6中任一项所述的振荡器，其特征在于，所述振荡器的振荡频率随着所述可变电阻的阻值的变化而变化。

8.一种电子装置，其特征在于，包括至少一个权利要求1-7任一项所述的振荡器。

9.如权利要求8所述的电子装置，其特征在于，还包括连接所述振荡器的运算放大器以及连接所述运算放大器的分频电路。

10.如权利要求8所述的电子装置，其特征在于，所述电子装置具有数字系统或者模拟系统，所述振荡器为所述数字系统的时钟信号源或者为所述模拟系统中的本振信号源。