[发明专利]一种雪崩光电二极管探测装置有效
申请号: | 202110335457.8 | 申请日: | 2021-03-29 |
公开(公告)号: | CN113078227B | 公开(公告)日: | 2023-10-13 |
发明(设计)人: | 雷述宇 | 申请(专利权)人: | 宁波飞芯电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/107;G01S17/10 |
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地址: | 315500 浙江省宁*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 雪崩 光电二极管 探测 装置 | ||
1.一种雪崩光电二极管探测装置,其特征在于,所述雪崩光电二极管探测装置包括至少一个单光子雪崩二极管,所述光子雪崩二极管包括半导体衬底、有源区以及操作电路;所述单光子雪崩二极管还包括辅助区域和电子收集区域;其中所述有源区与所述操作电路电连接。
2.如权利要求1所述的雪崩光电二极管探测装置,其特征在于,所述单光子雪崩二极管还包含传输场施加区域,所述传输场施加区域与所述辅助区域形成面内电场。
3.如权利要求2所述的雪崩光电二极管探测装置,其特征在于,所述面内电场在所述单光子雪崩二极管淬灭和复位过程中的电场方向是相反的。
4.如权利要求2所述的雪崩光电二极管探测装置,其特征在于,所述传输场施加区域与所述辅助区域同为第一导电类型的掺杂区域;所述电子收集区域为第二导电类型的掺杂区域。
5.如权利要求1所述的雪崩光电二极管探测装置,其特征在于,所述操作电路还配置为对所述电子收集区域复位的复位电路。
6.如权利要求1所述的雪崩光电二极管探测装置,其特征在于,所述单光子雪崩二极管还包括具有第二导电类型掺杂区域的阴极,所述阴极与所述辅助区域通过反相器连接。
7.如权利要求1所述的雪崩光电二极管探测装置,其特征在于,所述单光子雪崩二极管探测装置还包括与所述辅助区域相连接的反馈模块,所述反馈模块配置为向与其相连接的三极管发送导通指令。
8.如权利要求1所述的雪崩光电二极管探测装置,其特征在于,所述传输场施加区域配置为所述单光子雪崩二极管的阳极。
9.如权利要求5所述的雪崩光电二极管探测装置探测装置,其特征在于,所述单光子雪崩二极管的阴极通过电容器与所述反相器的一端相连接。
10.如权利要求1所述的雪崩光电二极管探测装置,其特征在于,所述操作电路还包括淬灭电路,所述淬灭电路为主动淬灭。
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