[发明专利]一种智能热控薄膜器件

权利要求书

1.一种智能热控薄膜器件，其特征在于，包括底层衬底，形成于底层衬底之上的热致变发射率层，形成于底层衬底之上、未覆盖热致变发射率层区域的电致变发射率功能单元，所述电致变发射率功能单元包括依次设置的铝箔、离子存储层、对电极、吸附电解质的有机滤膜基底、工作电极、电致变发射率薄膜、封装层，所述铝箔与底层衬底紧密贴合，所述热致变发射率层包括热致变发射率材料和基料。

2.根据权利要求1所述的智能热控薄膜器件，其特征在于，所述底层衬底为铝片或氧化钇稳定氧化锆。

3.根据权利要求1所述的智能热控薄膜器件，其特征在于，所述热致变发射率层包括热致变发射率材料和基料，热致变发射率材料的质量百分比为40wt％～70wt％，基料的质量百分比为30wt％～60wt％。

4.根据权利要求3所述的智能热控薄膜器件，其特征在于，所述热致变发射率材料为钙钛矿锰氧化物或二氧化钒；所述基料包括氨基树脂和热塑性丙烯酸树脂，氨基树脂和热塑性丙烯酸树脂的质量比为1：(3～5)。

5.根据权利要求1所述的智能热控薄膜器件，其特征在于，所述离子存储层为聚苯胺、钛酸锂、聚吡咯或聚噻吩衍生物。

6.根据权利要求1所述的智能热控薄膜器件，其特征在于，所述工作电极和对电极为多孔金膜、银膜或铜膜。

7.根据权利要求1所述的智能热控薄膜器件，其特征在于，所述有机滤膜基底为尼龙滤膜、聚醚砜滤膜或醋酸纤维素滤膜。

8.根据权利要求1所述的智能热控薄膜器件，其特征在于，所述电解质包括：5wt％以下的LiClO₄、15wt％～30wt％PC、3wt％～6wt％PMMA、70wt％～80wt％乙腈。

9.根据权利要求1所述的智能热控薄膜器件，其特征在于，所述电致变发射率薄膜为聚苯胺、钛酸锂或石墨烯。

10.一种智能热控薄膜器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1、清洗底层衬底；

步骤2、将热致变发射率材料和基料混合，得到热致变发射率涂层浆料；其中，热致变发射率材料的质量百分比为40wt％～70wt％，基料的质量百分比为30wt％～60wt％；

步骤3、在底层衬底上制备厚度为200～2000nm的图形化热致变发射率层；

步骤4、裁剪有机滤膜基底，清洗，烘干；

步骤5、采用电子束蒸发法在步骤4清洗后的有机滤膜基底的正面和反面分别沉积厚度为100～200nm的工作电极和对电极；

步骤6、在步骤5得到的工作电极上制备电致变发射率薄膜，对电极上制备离子存储层；

步骤7、在步骤3得到的底层衬底上未覆盖图形化热致变发射率层的区域，形成电致变发射率功能单元，所述电致变发射率功能单元包括依次设置的铝箔、离子存储层、对电极、吸附电解质的有机滤膜基底、工作电极、电致变发射率薄膜、封装层，所述铝箔通过导电胶与底层衬底贴合。