[发明专利]半导体结构及半导体结构的制作方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底；

第一晶体管，所述第一晶体管位于所述衬底上；

第二晶体管，所述第二晶体管位于所述第一晶体管的上方；

栅极结构，所述栅极结构包括相连接的第一栅极层和第二栅极层，所述第一栅极层环绕所述第一晶体管设置，所述第二栅极层环绕所述第二晶体管设置；

第一导电层，所述第一导电层位于所述第一晶体管和所述第二晶体管之间，所述第一导电层的延伸方向所在平面平行于所述衬底，所述第一晶体管的顶端位于所述第一导电层内，所述第二晶体管的底端位于所述第一导电层内；

其中，所述第一晶体管的延伸方向和所述第二晶体管的延伸方向均垂直于所述衬底。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一晶体管和所述第二晶体管在所述衬底上的投影至少部分相重合。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：

导电连接层，所述导电连接层位于所述第一晶体管和所述第二晶体管之间，以连接所述第一晶体管和所述第二晶体管。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一晶体管和所述第二晶体管在所述衬底上的投影均不相重合；

其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管电连接。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：

第二导电层，所述第二导电层位于所述衬底内，且与所述第一晶体管相连接；

其中，所述第二导电层的延伸方向所在平面平行于所述衬底。

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第一导电层和所述第二导电层在所述衬底上的投影至少部分不相重合。

7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述第一导电层沿第一直线方向延伸，所述第二导电层沿第二直线方向延伸。

8.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述第一导电层包括第一段体、第二段体以及第三段体，所述第三段体的两端分别连接所述第一段体和所述第二段体，以使所述第一导电层内侧形成有第一空间；

所述第二导电层包括第四段体、第五段体以及第六段体，所述第六段体的两端分别连接所述第四段体和所述第五段体，以使所述第二导电层内侧形成有第二空间。

9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述第三段体沿第一曲线方向延伸，所述第六段体沿第二曲线方向延伸。

10.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一晶体管为PFET，所述第二晶体管为NFET；

或，所述第一晶体管为NFET，所述第二晶体管为PFET。

11.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成第一晶体管；

在所述第一晶体管的上方形成第一导电层，所述第一导电层的延伸方向所在平面平行于所述衬底；

在所述第一晶体管的上方形成第二晶体管；

在所述第一晶体管和所述第二晶体管的周向形成栅极结构，所述栅极结构包括相连接的第一栅极层和第二栅极层，所述第一栅极层环绕所述第一晶体管设置，所述第二栅极层环绕所述第二晶体管设置；

其中，所述第一晶体管的延伸方向和所述第二晶体管的延伸方向均垂直于所述衬底，所述第二晶体管的至少部分形成于所述第一导电层的上方，且与所述第一导电层相连接。

12.根据权利要求11所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，还包括：

在所述第一导电层内形成通孔，以暴露所述第一晶体管；

在所述通孔形成导电连接层；

其中，所述第二晶体管形成于所述导电连接层的上方，且与所述导电连接层相连接。