[发明专利]一种含乙烯基的1-芳基取代咔唑类可交联型小分子空穴传输材料及应用在审

专利信息
申请号: 202110333064.3 申请日: 2021-03-29
公开(公告)号: CN113105383A 公开(公告)日: 2021-07-13
发明(设计)人: 应磊;钱宇 申请(专利权)人: 华南理工大学
主分类号: C07D209/86 分类号: C07D209/86;C07D209/88;C07D405/14;H01L51/54;H01L51/50
代理公司: 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 代理人: 桂婷
地址: 510640 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 乙烯基 取代 咔唑类可 交联 分子 空穴 传输 材料 应用
【权利要求书】:

1.一种含乙烯基的1-芳基取代咔唑类可交联型小分子空穴传输材料,其特征在于具有下式所示结构:

其中,n=1~6;

所述的Ar1各自独立选取碳原子数1~30的烷基、碳原子数3~30的环烷基、碳原子数为6~60芳香族烃基或碳原子数为3~60的芳香族杂环基;

所述的Ar选自如下所示的化学结构或者如下所示的化学结构的衍生物中的一种:

2.根据权利要求1所示的含乙烯基的1-芳基取代咔唑类可交联型小分子空穴传输材料,其特征在于:

所述的Ar1各自独立选取如下化学结构或如下结构衍生物的一种:

3.根据权利要求1所示的含乙烯基的1-芳基取代咔唑类可交联型小分子空穴传输材料,其特征在于其结构为如下所示结构中的一种:

4.根据权利要求1所示的含乙烯基的1-芳基取代咔唑类可交联型小分子空穴传输材料,其特征在于其结构为如下所示结构中的一种:

5.根据权利要求1-4任一项所述的含乙烯基的1-芳基取代咔唑类可交联型小分子空穴传输材料在制备聚合物发光二极管的空穴传输层中的应用。

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