[发明专利]半导体器件膜厚的测量方法

权利要求书

1.一种半导体器件膜厚的测量方法，其特征在于，所述半导体器件包括基底及设置在所述基底上的目标膜层，所述半导体器件具有主存储区，所述测量方法包括如下步骤：

提供参考半导体器件主存储区的参考光谱图；

获得待测半导体器件主存储区的第一测量光谱图；

以所述参考光谱图为基准，在预设范围内调整所述参考半导体器件主存储区的目标膜层的厚度参数，获得调整后的参考光谱图，并将所述第一测量光谱图与所述调整后的参考光谱图进行比较；

若所述第一测量光谱图与所述调整后的参考光谱图的相似度大于第一预设值，则将所述调整后的参考光谱图对应的厚度参数作为所述待测半导体器件主存储区的目标膜层的厚度；

若所述第一测量光谱图与所述调整后的参考光谱图的相似度小于所述第一预设值，则继续在预设范围内调整所述参考半导体器件主存储区的目标膜层的厚度参数，直至所述第一测量光谱图与所述调整后的参考光谱图的相似度大于所述第一预设值；

其中，所述第一预设值大于零，且小于或者等于1。

2.根据权利要求1所述的半导体器件膜厚的测量方法，其特征在于，所述第一预设值大于0.95。

3.根据权利要求1所述的半导体器件膜厚的测量方法，其特征在于，在所述主存储区，所述基底为三维复合基底。

4.根据权利要求3所述的半导体器件膜厚的测量方法，其特征在于，所述三维复合基底包括硅基底及设置在所述硅基底上的多个膜层。

5.根据权利要求3所述的半导体器件膜厚的测量方法，其特征在于，还包括获得所述参考半导体器件主存储区的所述参考光谱图的方法，所述方法包括如下步骤：

获得所述参考半导体器件主存储区的所述目标膜层的散布参数及厚度参数；

获得所述参考半导体器件主存储区的第二测量光谱图；

以所述第二测量光谱图为基准，以所述参考半导体器件主存储区的目标膜层的散布参数及厚度参数为定值，调整所述参考半导体器件主存储区的基底的散布参数，获得调整后的第二测量光谱图，并将所述调整后的第二测量光谱图与所述参考半导体器件主存储区的理论光谱图进行比较；

若所述调整后的第二测量光谱图与所述参考半导体器件主存储区的理论光谱图的相似度大于第二预设值，则将所述调整后的第二测量光谱图作为所述参考光谱图；

若所述调整后的第二测量光谱图与所述参考半导体器件主存储区的理论光谱图的相似度小于所述第二预设值，则继续调整所述参考半导体器件主存储区的基底的散布参数，直至所述调整后的第二测量光谱图与所述参考半导体器件主存储区的理论光谱图的相似度大于所述第二预设值；

其中，所述第二预设值大于零，且小于或者等于1。

6.根据权利要求5所述的半导体器件膜厚的测量方法，其特征在于，所述第二预设值大于0.95。

7.根据权利要求5所述的半导体器件膜厚的测量方法，其特征在于，所述参考半导体器件还具有测量区，所述测量区与所述主存储区采用相同工艺形成，在所述测量区，所述基底为一维结构；其中，获得所述参考半导体器件主存储区的所述目标膜层的散布参数的方法包括：

获得参考半导体器件测量区的第三测量光谱图；

以所述第三测量光谱图为基准，以所述参考半导体器件测量区的所述基底的散布参数、厚度参数及所述目标膜层的厚度参数为定值，调整所述参考半导体器件测量区的目标膜层的散布参数，获得调整后的第三测量光谱图，并将所述调整后的第三测量光谱图与所述参考半导体器件测量区的理论光谱图进行比较；

若所述调整后的第三测量光谱图与所述参考半导体器件测量区的理论光谱图的相似度大于第三预设值，则将所述调整后的第三测量光谱图对应的散布参数作为所述半导体器件主存储区的所述目标膜层的散布参数；

若所述调整后的第三测量光谱图与所述参考半导体器件测量区的理论光谱图的相似度小于所述第三预设值，则继续调整所述参考半导体器件测量区的目标膜层的散布参数，直至所述调整后的第三测量光谱图与所述参考半导体器件测量区的理论光谱图的相似度大于所述第三预设值；

其中，所述第三预设值大于零，且小于或者等于1。