[发明专利]半导体器件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

衬底；

第一导电层，设置在所述衬底表面，所述第一导电层包括多个第一导线对，每一所述第一导线对包括两条第一导线，且所述两条第一导线具有共用端及非共用端；

第一场效应晶体管，设置在所述第一导电层上，具有第一沟道结构，所述第一沟道结构沿垂直所述衬底表面的方向延伸，且所述第一沟道结构的第一端与所述第一导线电连接；

第二导电层，设置在所述第一场效应晶体管上，所述第二导电层包括多个第二导线对，每一所述第二导线对包括两条第二导线，且所述两条第二导线具有共用端及非共用端；

第二场效应晶体管，设置在所述第二导电层上，具有第二沟道结构，所述第二沟道结构沿垂直所述衬底表面的方向延伸，其中，所述第二沟道结构的第一端及所述第一沟道结构的第二端均与所述第二导线电连接；

栅极结构，环绕所述第一沟道结构侧面及所述第二沟道结构侧面，所述第一场效应晶体管及所述第二场效应晶体管共用所述栅极结构。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在所述第一导电层内，沿垂直所述第一导线长度的方向上，多个所述第一导线对的所述共用端与所述非共用端交替设置。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在所述第二导电层内，沿垂直所述第二导线长度的方向上，多个所述第二导线对的所述共用端与所述非共用端交替设置。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一导线对是通过对所述两条第一导线围绕形成的闭合图形的一端切割而成。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二导线对是通过对所述两条第二导线围绕形成的闭合图形的一端切割而成。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在垂直所述衬底表面的方向上，所述第一导线与所述第二导线在所述衬底表面的投影交叉设置。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在垂直所述衬底表面的方向上，所述第一沟道结构与所述第二沟道结构堆叠设置，且所述第一沟道结构的第二端延伸至所述第二导线内，所述第二沟道结构的第一端延伸至所述第二导线内，其中，在所述第二导线内，所述第一沟道结构的第二端与所述第二沟道结构的第一端之间，设置有缓冲导电层，以隔离所述第一沟道结构与所述第二沟道结构。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在垂直所述衬底表面的方向上，所述第一沟道结构与所述第二沟道结构错位设置，且所述第一沟道结构与所述第二沟道结构之间通过所述第二导线隔离。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在垂直所述衬底表面的方向上，所述第一导线与所述第二导线在所述衬底表面的投影平行且具有设定位移。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，在垂直所述衬底表面的方向上，所述第一导线与所述第二导线在所述衬底表面的投影至少部分重叠。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括引出线组，包括多个引出线，所述引出线分别与所述第一导线、所述第二导线、所述第二沟道结构及所述栅极结构电连接。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括保护层，所述保护层设置在所述第二场效应晶体管上。

13.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：

第一隔离层，设置在所述第一导电层与所述栅极结构之间；

第二隔离层，设置在所述栅极结构与所述第二导电层之间。