[发明专利]一种基于形状记忆合金的声子晶体隔振平台及使用方法

权利要求书

1.一种基于形状记忆合金的声子晶体隔振平台，其特征在于，包括三组一维声子晶体模型、连接板、外壳、输出棒和输出平台，所述三组一维声子晶体模型、连接板位于外壳内；

每组一维声子晶体模型由多个声子晶体原胞竖向排列而成，所述声子晶体原胞包括铝空心棒，铝空心棒由内向外依次包覆橡胶振子层、形状记忆合金振子层和PI加热薄片；

三组一维声子晶体模型平行排列并形成等边三棱柱结构，连接板将三组一维声子晶体模型的输出端相连接；所述连接板的中心位置连接输出棒；所述外壳包括上保护层、侧保护层和底保护层；所述上保护层中心位置设有输出孔，输出棒穿过输出孔与输出平台连接；所述侧保护层设有导线孔，导线穿过导线孔与PI加热薄片相连；所述底保护层将三组一维声子晶体模型的输入端相连接。

2.根据权利要求1所述的一种基于形状记忆合金的声子晶体隔振平台，其特征在于，以铝空心棒中心为极点，橡胶振子层、形状记忆合金振子层和PI加热薄片在0°位置均设有开口，橡胶振子层在120°-240°位置与铝空心棒胶结。

3.根据权利要求1所述的一种基于形状记忆合金的声子晶体隔振平台，其特征在于，所述橡胶振子层与形状记忆合金振子层胶结；所述橡胶振子层同步形状记忆合金振子层的形变。

4.根据权利要求1所述的一种基于形状记忆合金的声子晶体隔振平台，其特征在于，所述PI加热薄片与形状记忆合金振子层胶结；所述PI加热薄片同步形状记忆合金振子层的形变。

5.根据权利要求1所述的一种基于形状记忆合金的声子晶体隔振平台，其特征在于，所述一维声子晶体模型的声子晶体原胞周期数≥4。

6.根据权利要求1所述的一种基于形状记忆合金的声子晶体隔振平台，其特征在于，所述连接板、上保护层、侧保护层和底保护层的材质为金属或合金。

7.根据权利要求1所述的一种基于形状记忆合金的声子晶体隔振平台，其特征在于，所述形状记忆合金振子层的材质为双程形状记忆合金。

8.根据权利要求1所述的一种基于形状记忆合金的声子晶体隔振平台，其特征在于，所述连接板与输出棒、一维声子晶体模型之间均为可拆卸连接；所述输出棒与输出平台可拆卸连接；所述底保护层与一维声子晶体模型的输入端可拆卸连接；所述侧保护层与上保护层、低保护层之间均为可拆卸连接。

9.根据权利要求1所述的一种基于形状记忆合金的声子晶体隔振平台，其特征在于，所述上保护层的输出孔与输出棒之间留有间隙。

10.一种声子晶体隔振平台的使用方法，其特征在于，使用权利要求1-9任一项所述的基于形状记忆合金的声子晶体隔振平台，通过调整PI加热薄片的通电状态实现声子晶体隔振平台的不同隔振降噪模式，以达到不同的隔振降噪效果。