[发明专利]一种半导体器件制备方法

说明书

本发明提供一种半导体器件制备方法，涉及半导体技术领域，方法包括：在铝镓砷基板上依次形成氧化层和图案化光刻胶层以露出位于图案化光刻胶层的镂空区域的氧化层。采用氩气生成的等离子体分别对图案化光刻胶层的侧壁沿垂直铝镓砷基板的方向进行修正和对位于图案化光刻胶层的镂空区域的氧化层进行预轰击。然后在含有氩气的环境中，接着采用氯化硼去除经预轰击后的氧化层以露出位于图案化光刻胶层的镂空区域的铝镓砷基板，能够兼顾物理轰击和化学作用，使得图案化光刻胶层的侧壁更陡直，铝镓砷基板表面氧化物去除更彻底，提高后续对铝镓砷基板进行主刻蚀时的均匀性和刻蚀垂直度，从而提高器件性能。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种半导体器件制备方法。

背景技术

半导体器件是用半导体材料作为工作物质的器件，具有小巧、高效、寿命长、易于集成等诸多优点，因而被广泛应用于成像、通信、机械加工等领域。但随着科技的进步，对于半导体器件也有了更高的需求。

半导体器件中的基板通常在转移过程中受环境因素的影响，在其表面会生成氧化层，需要将其去除，然后再对基板进行刻蚀等作业，在刻蚀过程中，往往由于光刻胶的侧壁垂直度较差，导致基板经刻蚀后形成的结构的侧壁垂直度也较差，影响器件的性能。

发明内容

本发明的目的在于，针对上述现有技术中的不足，提供一种半导体器件制备方法，通过预先改善光刻胶的侧壁的垂直度进而提高基板上刻蚀结构的侧壁垂直度。

为实现上述目的，本发明实施例采用的技术方案如下：

本发明实施例的一方面，提供一种半导体器件制备方法，方法包括：在铝镓砷基板上依次形成氧化层和图案化光刻胶层以露出位于图案化光刻胶层的镂空区域的氧化层；利用氩气生成的等离子体分别对图案化光刻胶层的侧壁沿垂直铝镓砷基板的方向进行修正和对位于图案化光刻胶层的镂空区域的氧化层进行预轰击；然后在含有氩气的环境中，接着采用氯化硼去除经预轰击后的氧化层以露出位于图案化光刻胶层的镂空区域的铝镓砷基板。

可选的，在铝镓砷基板上依次形成氧化层和图案化光刻胶层包括：在铝镓砷基板上依次形成氧化层、图案化氮化硅层和图案化光刻胶层，其中，图案化光刻胶层与图案化氮化硅层位置对应以露出位于图案化光刻胶层的镂空区域的氧化层。

可选的，在铝镓砷基板上依次形成氧化层、图案化氮化硅层和图案化光刻胶层包括：在铝镓砷基板上依次形成氧化层、氮化硅层和光刻胶层；光刻胶层经曝光、显影形成图案化光刻胶层以露出位于图案化光刻胶层的镂空区域的氮化硅层；对位于图案化光刻胶层的镂空区域的氮化硅层刻蚀形成图案化氮化硅层以露出位于图案化氮化硅层的镂空区域的氧化层。

可选的，在铝镓砷基板上依次形成氧化层、氮化硅层和光刻胶层包括：在铝镓砷基板上形成氧化层；在氧化层上沉积80-200nm厚的氮化硅层；在氮化硅层上涂覆3-6μm厚的光刻胶层。

可选的，对位于图案化光刻胶层的镂空区域的氮化硅层刻蚀形成图案化氮化硅层包括：在偏置功率为80-100w、腔体压力为4-8mT下，采用流量为40-80sccm的六氟化硫和流量为6-10sccm的氧气对氮化硅层刻蚀5-10min以形成图案化氮化硅层。

可选的，利用氩气生成的等离子体分别对图案化光刻胶层的侧壁沿垂直铝镓砷基板的方向进行修正和对位于图案化光刻胶层的镂空区域的氧化层进行预轰击包括：在电感耦合等离子刻蚀设备的功率为400-500w、偏置功率为80-100w、腔体压力为4-5mT下，采用流量为20-30sccm的氩气，利用氩气生成的等离子体持续8-10S分别对图案化光刻胶层的侧壁沿垂直铝镓砷基板的方向进行修正和对位于图案化光刻胶层的镂空区域的氧化层进行预轰击。