[发明专利]一种基于硅通孔的射频垂直互连传输结构在审
| 申请号： | 202110330168.9 | 申请日： | 2021-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN113097183A | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 王韬;费井汉;张万里 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L23/66 | 分类号： | H01L23/66 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 闫树平 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 硅通孔 射频 垂直 互连 传输 结构 | ||
1.一种基于硅通孔的射频垂直互连传输结构，包括：上层转接板、下层转接板、以及设置在上层转接板和下层转接板之间的BGA焊球，其特征在于：
所述上层转接板设有硅通孔(TSV)结构和信号传输装置；TSV结构是由中心TSV铜柱和以中心TSV铜柱为轴等距离环设的n个TSV铜柱构成的TSV准同轴结构；中心TSV铜柱为微波信号垂直互连传输线，等距离环设的n个TSV铜柱为地信号连接线；信号传输装置连接中心TSV铜柱，其中n≥6；信号传输装置沿信号输出方向的两侧各设有一列等距离排列的TSV铜柱；
下层转接板与上层转接板结构相同；两层转接板的中心TSV铜柱位置相互对准，并通过BGA焊球实现垂直互连。
2.根据权利要求1所述的一种基于硅通孔的射频垂直互连传输结构，其特征在于：所述信号传输装置为共面波导，该共面波导包括导带和位于导带两侧的接地金属板；导带与中心TSV铜柱相连，以实现信号传输；两侧的接地金属板与位于同一侧的的TSV铜柱相连，以实现TSV铜柱产生的耦合电流导出。
3.根据权利要求1所述的一种基于硅通孔的射频垂直互连传输结构，其特征在于：上层转接板和下层转接板采用电阻率2000～2500欧姆的硅材料制成。
4.根据权利要求1所述的一种基于硅通孔的射频垂直互连传输结构，其特征在于：除中心TSV铜柱外，所述相邻两个TSV铜柱的圆心距设为0.28cm～0.32cm。
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