[发明专利]一种SiC纳米线增韧化学气相共沉积HfC-SiC复相涂层的制备方法

权利要求书

1.一种SiC纳米线增韧化学气相共沉积HfC-SiC复相涂层的制备方法，其特征在于步骤如下：

步骤1：将C/C复合材料打磨，置于去离子水中超声清洗，烘干后，采用包埋法制备在表面利用SiC涂层；

步骤2：将带有SiC涂层的C/C复合材料悬挂于底部放置有硅块的石墨坩埚中，将坩埚放置于热处理炉中，升温至1800-1900℃，保温1h；控制Ar气的气体流量为600ml/min；

步骤3：将步骤2处理C/C复合材料置于化学气相沉积设备的恒温区中，采用HfCl₄和甲烷作为HfC陶瓷涂层的前驱体，分别提供Hf源和C源；采用氢气作为还原性气体，氩气作为保护气；

气相沉积过程分为三个阶段：

升温阶段：以600ml/min的速率通Ar气，升温速率为5℃/min，炉膛升温至1400-1500℃后，进入保温阶段；

保温阶段：通入速率20-50ml/min的CH₄，200-300ml/min的Ar和600-800ml/min的H₂；打开螺旋送粉器，将送粉速率调整至0.9g/min，炉膛内的压力为30-40kPa，沉积过程持续7h。

2.根据权利要求1所述SiC纳米线增韧化学气相共沉积HfC-SiC复相涂层的制备方法，其特征在于：所述C/C复合材料的密度为1.7g/cm³的2.5D。

3.根据权利要求1所述SiC纳米线增韧化学气相共沉积HfC-SiC复相涂层的制备方法，其特征在于：所述升温速率和降温速率为5℃/min。

4.根据权利要求1所述SiC纳米线增韧化学气相共沉积HfC-SiC复相涂层的制备方法，其特征在于：所述步骤3化学气相沉积设备采用连续送粉的化学气相沉积炉。