[发明专利]半导体器件和制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在第一半导体鳍与第二半导体鳍之间形成凹部；

沉积第一衬里以给所述凹部装衬里，所述第一衬里包含第一材料；

使所述第一衬里退火以使所述第一材料转化为第二材料；

沉积第二衬里以给所述凹部装衬里，所述第二衬里包含第三材料；以及

使所述第二衬里退火以使所述第三材料转化为第四材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一材料包括氮氧化硅并且所述第二材料包括二氧化硅。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述第三材料包括氮碳氧化硅并且所述第四材料包括二氧化硅。

4.根据权利要求3所述的方法，其中使所述第一衬里退火包括：

在第一温度下执行第一湿退火；

在与所述第一温度不同的第二温度下执行第二湿退火；以及

执行第一干退火。

5.根据权利要求4所述的方法，其中使所述第二衬里退火包括：

在第三温度下执行第三湿退火；

在与所述第三温度不同的第四温度下执行第二湿退火；以及

执行第二干退火。

6.根据权利要求1所述的方法，其中沉积所述第一衬里包括：

将六氯二硅烷用脉冲输送到所述第一半导体鳍上；

在用脉冲输送所述六氯二硅烷之后将氧气用脉冲输送到所述第一半导体鳍上；以及

在用脉冲输送所述氧气之后将氨用脉冲输送到所述第一半导体鳍上。

7.根据权利要求1所述的方法，其中沉积所述第二衬里包括：

将六氯二硅烷用脉冲输送到所述第一半导体鳍上；

在用脉冲输送所述六氯二硅烷之后将三乙胺用脉冲输送到所述第一半导体鳍上；以及

在用脉冲输送所述三乙胺之后将氧气用脉冲输送到所述第一半导体鳍上。

8.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

在半导体衬底上方的第一半导体鳍和第二半导体鳍；

与所述第一半导体鳍和所述第二半导体鳍两者相邻的第一衬里；

在所述第一衬里上方的第二衬里；

在所述第二衬里上方的第三衬里，所述第三衬里包含百分比小于约10％的氮；

在所述第三衬里上方的第四衬里；

在所述第四衬里上方的覆盖层，所述覆盖层包含百分比小于约10％的碳；以及

在所述覆盖层上方的电介质盖，其中所述第一半导体鳍比所述电介质盖更远离所述半导体衬底延伸。

9.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

与第二半导体鳍相邻的第一半导体鳍，所述第一半导体鳍在半导体衬底上方；

从所述第一半导体鳍的第一侧壁延伸到所述第二半导体鳍的第二侧壁的第一隔离区，所述第一隔离区包括：

从所述第一半导体鳍延伸到所述第二半导体鳍的第一衬里，所述第一衬里包含第一材料；

在所述第一衬里上方的第二衬里，所述第二衬里包含第二材料；

在所述第二衬里上方的第三衬里，所述第三衬里包含第三材料，所述第三材料具有百分比小于约10％的氮；

在所述第三衬里上方的第四衬里，所述第四衬里包含第四材料；

在所述第四衬里上方的覆盖层，所述覆盖层包含覆盖材料，所述覆盖材料包含百分比小于约10％的碳；和

在所述覆盖层上方的电介质盖，其中所述第一隔离区具有比所述第一半导体鳍更靠近所述半导体衬底的顶面；以及

与所述第一半导体鳍相邻的第二隔离区，所述第二隔离区包括：

与所述第一半导体鳍相邻的第五衬里，所述第五衬里包含第一材料；

在所述第五衬里上方的第六衬里，所述第六衬里包含第二材料；

在所述第六衬里上方的第七衬里，所述第七衬里包含第三材料；

在所述第七衬里上方的第八衬里，所述第八衬里包含第四材料；

在所述第八衬里上方的第二覆盖层，所述第二覆盖层包含覆盖材料；

在所述第二覆盖层上方的第二电介质盖；和

延伸到至少所述第二电介质盖中的电介质鳍，所述电介质鳍的一部分与所述第一半导体鳍在同一平面上，其中没有延伸到所述第一隔离区中的电介质鳍。