[发明专利]触控元件及包含所述触控元件的显示装置

权利要求书

1.一种触控元件，其特征在于，包括：

一高分子相位延迟层；以及

一设置并接触所述高分子相位延迟层的触控感测结构，其中所述触控感测结构为奈米银线与高分子的复合层；

其中在可见光范围下所述高分子相位延迟层在设置所述触控感测结构之前与之后的相位延迟值R₀差异小于1％。

2.根据权利要求1所述的触控元件，其特征在于，所述触控元件的厚度小于64μm。

3.根据权利要求1所述的触控元件，其特征在于，所述高分子相位延迟层的厚度小于53μm。

4.根据权利要求3所述的触控元件，其特征在于，所述触控元件的相位延迟值差值ΔR₀以下述公式表示：

ΔR₀＝R₀-R₀′

其中，R₀表示所述触控元件在约25℃下在575nm所量测的第一相位延迟值，R₀′表示所述触控元件在85℃下持续240小时再回复到约25℃下在575nm所量测的第二相位延迟值，ΔR₀表示所述第一相位延迟值与所述第二相位延迟值差值的绝对值，所述ΔR₀小于7.0nm。

5.根据权利要求4所述的触控元件，其特征在于，所述ΔR₀介于0nm至2.0nm、0.1nm至2.0nm、0.2nm至2.0nm、0.3nm至2.0nm、0.2nm至1.0nm、0.3nm至0.7nm或0.7nm至2.0nm的范围。

6.根据权利要求1所述的触控元件，其特征在于，所述高分子相位延迟层的厚度约为13μm，所述触控元件的相位延迟值差值ΔR₀以下述公式表示：

ΔR₀＝R₀-R₀′

其中，R0表示所述触控元件在约25℃下在575nm所量测的第一相位延迟值，R₀′表示所述触控元件在85℃下持续240小时再回复到约25℃下在575nm所量测的第二相位延迟值，ΔR₀表示所述第一相位延迟值与所述第二相位延迟值差值的绝对值，所述ΔR₀介于0nm至1.0nm、0.1nm至1.0nm、0.2nm至1.0nm或0.7nm。

7.根据权利要求1所述的触控元件，其特征在于，所述高分子相位延迟层的厚度约为25μm，所述触控元件的相位延迟值差值ΔR₀以下述公式表示：

ΔR₀＝R₀-R₀′

其中，R₀表示所述触控元件在约25℃下在575nm所量测的第一相位延迟值，R₀′表示所述触控元件在85℃下持续240小时再回复到约25℃下在575nm所量测的第二相位延迟值，ΔR₀表示所述第一相位延迟值与所述第二相位延迟值差值的绝对值，所述ΔR₀介于0nm至2.0nm、0.1nm至2.0nm、0.2nm至2.0nm、0.3nm至2.0nm或0.3nm。

8.根据权利要求1所述的触控元件，其特征在于，所述触控元件组装于一线性偏光层。

9.一种显示装置，其特征在于，包括：

一显示面板，具有一显示区；以及

根据权利要求1至8中任一项所述的触控元件，设置在所述显示面板上，其中，所述触控元件的所述触控感测结构对应地与所述显示区重迭。