[发明专利]半导体存储器装置和其形成方法

说明书

本申请案涉及半导体存储器装置和其形成方法。一种半导体存储器装置包含存储器单元区；存储器片块末端区；存储器片块，其包含所述存储器单元区和所述存储器片块区；多个第一硅区，其布置于所述存储器单元区中；第二硅区，其布置于所述存储器片块末端区中；第一导电层，其设置在所述存储器单元区和所述存储器片块末端区中；且其中所述存储器片块末端区中的所述第二硅区的上表面位置高于所述存储器单元区中的所述第一硅区的所述上表面位置；且其中所述存储器片块末端区中的所述第一导电层的所述上表面位置高于所述存储器单元区中的所述第一导电层的所述上表面位置。

技术领域

本公开涉及存储器，且特定地，涉及半导体存储器装置和其形成方法。

背景技术

最近，在例如动态随机存取存储器(下文称为DRAM)的半导体存储器装置中，采用沟槽式栅极结构作为存储器单元中的晶体管的结构。在具有沟槽式栅极结构的字线中，装置进一步小型化，字线的重复性节距缩小且长宽比也增加，且因此，形成均匀凹部在物理上正变得越来越困难。

发明内容

本公开的一方面提供一种半导体存储器装置，其中所述半导体存储器装置包括：存储器单元区；存储器片块末端区；存储器片块，其包含所述存储器单元区和所述存储器片块区；多个第一硅区，其布置于所述存储器单元区中；第二硅区，其布置于所述存储器片块末端区中；和第一导电层，其设置在所述存储器单元区和所述存储器片块末端区中，其中所述存储器片块末端区中的所述第二硅区的上表面位置高于所述存储器单元区中的所述第一硅区的所述上表面位置，且其中所述存储器片块末端区中的所述第一导电层的所述上表面位置高于所述存储器单元区中的所述第一导电层的所述上表面位置。

本公开的另一方面提供一种半导体存储器装置，其中所述半导体存储器装置包括：存储器单元区；存储器片块末端区；存储器片块，其包含所述存储器单元区和所述存储器片块末端区；多个第一硅区，其布置于所述存储器单元区中；第二硅区，其布置于所述存储器片块末端区中；第一导电层，其设置在所述存储器单元区和所述存储器片块末端区中；中间导电层，其设置在所述存储器单元区和所述存储器片块末端区中；和第二导电层，其设置在所述存储器单元区中，其中所述存储器片块末端区中的所述第一导电层的所述上表面位置的高度与所述存储器单元区中的所述第一导电层的所述上表面位置的高度相同，且其中所述存储器片块末端区中的所述中间导电层的所述上表面位置高于所述存储器单元区中的所述第二导电层的所述上表面位置。

本公开的另一方面提供一种制造包括存储器单元区、存储器片块末端区、存储器片块和多个第一硅区的半导体存储器装置的方法，所述存储器片块包含所述存储器单元区和所述存储器片块末端区，所述多个第一硅区形成于所述存储器单元区中，所述半导体存储器装置另外包括包含上表面位置的第二硅区，所述上表面位置形成于所述存储器片块末端区中并且高于所述第一硅区的上表面位置，所述方法包括：在所述存储器单元区和所述存储器片块末端区中形成第一导电层。

附图说明

图1A是说明根据一实施例的半导体存储器装置的存储器单元区的部分的示意性配置的平面视图。图1B是说明存储器片块的示意性配置的平面视图。

图2是说明根据一实施例的半导体存储器装置的存储器单元区的示意性配置的平面视图布局，并且是图1B中的存储器片块末端区A的放大视图。

图3A、3B和3C是说明根据第一实施例的制造半导体存储器装置的方法的图式。图3A是说明示范性处理阶段中的存储器单元区的示意性配置的平面视图。图3B和3C是说明示范性处理阶段中的存储器单元区的示意性配置的纵截面。图3B是说明沿着图2中的线E-E的部分的示意性配置的纵截面，且更具体来说，是说明沿平行于存储器单元区的字线的方向的示意性配置的纵截面。图3C是说明沿着图2中的线F-F的部分的示意性配置的纵截面，且更具体来说，是说明沿平行于存储器单元区的位线的方向的示意性配置的纵截面。