[发明专利]一种超低动态阻抗双向TVS及制造方法

权利要求书

1.一种超低动态阻抗双向TVS，其特征在于，包括：

衬底层，该衬底层为第一导电类型；

基区层，该基区层为第二导电类型，并形成于衬底层上；

浅槽结构，该浅槽结构形成于基区层中，其深度小于基区层的深度，在浅槽结构两侧形成第一导电类型的有源区，浅槽结构具有复数个，各浅槽结构之间留有间隔，形成梳齿式布局；

浅槽填充层，该浅槽填充层形成于浅槽结构内部；

电极，该电极采用表面多层金属化引出。

2.根据权利要求1所述的一种超低动态阻抗双向TVS，其特征在于：

衬底层的电阻率为1ohm·cm～50ohm·cm。

3.根据权利要求1所述的一种超低动态阻抗双向TVS，其特征在于：

第一导电类型的有源区的电阻率为0.01ohm·cm～0.1ohm·cm。

4.根据权利要求1所述的一种超低动态阻抗双向TVS，其特征在于：

浅槽结构为环形，并环绕于第一导电类型的有源区外侧。

5.根据权利要求4所述的一种超低动态阻抗双向TVS，其特征在于：

浅槽结构的深度为1μm～2μm，宽度为0.35μm～3μm。

6.根据权利要求1所述的一种超低动态阻抗双向TVS，其特征在于：

浅槽填充层由氧化层形成。

7.根据权利要去1所述的一种超低动态阻抗双向TVS，其特征在于，浅槽填充层由掺杂多晶硅形成，掺杂多晶硅为第二导电类型。

8.根据权利要求1所述的超低动态阻抗双向TVS的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)在第一导电类型的衬底层上形成第二导电类型的基区层，衬底层的电阻率为1ohm·cm～50ohm·cm，基区层的电阻率为0.01ohm·cm～0.1ohm·cm；

2)利用光刻及及干法刻蚀工艺在基区层形成若干浅槽结构，浅槽结构的深度为1μm～2μm，宽度为0.35μm～3μm；

3)使用炉管热氧的方式在浅槽结构内填充氧化层或掺杂多晶硅，形成浅槽填充层，利用化学机械抛光工艺将晶圆表面的氧化层或掺杂多晶硅清除；

4)利用化学气相淀积的方式在晶圆表面长一层绝缘介质层，利用光刻及干法刻蚀工艺在绝缘介质层上开出接触孔；

5)在接触孔内做钨塞，并采用化学机械抛光工艺磨平；

6)利用金属溅射工艺在晶圆表面长一层金属铝，并利用光刻刻蚀做金属布线作为第一层金属；

7)在第一层金属上利用化学气相淀积再做一层绝缘介质，并使用光刻及干法刻蚀工艺在该绝缘介质层上开出通孔；

8)在通孔内做钨塞，并采用化学机械抛光工艺磨平；

9)利用金属溅射工艺在晶圆表面长一层金属铝，并利用光刻刻蚀做金属布线作为第二层金属；

10)在第二层金属上利用化学气相淀积做钝化层，并利用光刻及干法刻蚀工艺定义出键合点位置。