[发明专利]硅片清洗剂及制备方法和硅片清洗工艺

权利要求书

1.一种硅片清洗剂，其特征在于，由如下质量百分比的各组分制成：无机碱2~6%，氮川三乙酸三钠2~6%，牛油脂肪醇聚氧乙烯醚0.5~6%，十二烷基三甲基氯化铵2~6%，余量为纯水。

2.根据权利要求1所述的一种硅片清洗剂，其特征在于：所述无机碱为氢氧化钠或氢氧化钾。

3.一种如权利要求1-2任一项所述的硅片清洗剂的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）按质量百分比分别称取各组分；

（2）将纯水加入到搅拌釜中，向纯水中加入无机碱、氮川三乙酸三钠、牛油脂肪醇聚氧乙烯醚和十二烷基三甲基氯化铵，搅拌均匀，得所述硅片清洗剂。

4.一种硅片清洗工艺，其特征在于：依次包括采用权利要求1-2任一项所述的硅片清洗剂清洗硅片、对硅片进行链式氧化烧结以及对硅片进行酸洗。

5.根据权利要求4所述的硅片清洗工艺，其特征在于，包括如下步骤：

（1）硅片于纯水中进行超声波预清洗；

（2）先将权利要求1-2任一项所述的硅片清洗剂配制成水溶液，再将步骤（1）清洗后的硅片置于水溶液中，进行超声波清洗；

（3）硅片纯水漂洗；

（4）硅片送入链式氧化炉中进行链式氧化烧结；

（5）硅片酸洗；

（6）硅片纯水漂洗后烘干。

6.根据权利要求5所述的硅片清洗工艺，其特征在于：步骤（2）中，所述硅片清洗剂配制成的水溶液的质量百分比浓度为3~6%。

7.根据权利要求6所述的硅片清洗工艺，其特征在于：步骤（2）中，所述清洗的时间为360~900s。

8.根据权利要求5所述的硅片清洗工艺，其特征在于：步骤（4）中，所述链式氧化烧结的温度为300~800℃，时间为180~250s。

9.根据权利要求5所述的硅片清洗工艺，其特征在于：步骤（5）中，所述酸洗所用的酸液为质量百分比浓度分别为5~10%的HF和HCL的水溶液。

10.根据权利要求9所述的硅片清洗工艺，其特征在于：步骤（5）中，所述酸洗的时间为300~480s。