[发明专利]一种适用于二次离子质谱分析的多层膜界面位置表征方法

权利要求书

1.一种适用于二次离子质谱分析的多层膜界面位置表征方法，其特征在于：利用二次离子质谱仪探测器收集包含了多层膜界面两侧薄膜中特征元素组成的原子团簇型离子，分析该原子团簇型离子的信号，利用该原子团簇型离子信号的峰值位置确定样品界面位置。

2.根据权利要求1所述的适用于二次离子质谱分析的多层膜界面位置表征方法，其特征在于：所述原子团簇型离子由两种以上元素组成，多层膜界面两侧薄膜中各有至少一种特征元素。

3.根据权利要求2所述的适用于二次离子质谱分析的多层膜界面位置表征方法，其特征在于：所述原子团簇型离子中含有的特征元素的原子个数至少为1。

4.根据权利要求3所述的适用于二次离子质谱分析的多层膜界面位置表征方法，其特征在于：所述原子团簇型离子中含有非特征元素的原子。

5.根据权利要求4所述的适用于二次离子质谱分析的多层膜界面位置表征方法，其特征在于：所述非特征元素的原子为多层膜界面两侧的共有元素原子或者一次离子束中的原子。

6.根据权利要求5所述的适用于二次离子质谱分析的多层膜界面位置表征方法，其特征在于：所述原子团簇型离子能与待测元素离子或待测原子团簇型离子一起测试，从而通过所述团簇型离子信号的峰值位置实现对待测元素离子或待测原子团簇型离子信号中的界面位置的确定。

7.根据权利要求5所述的适用于二次离子质谱分析的多层膜界面位置表征方法，其特征在于：所述原子团簇型离子能与待测元素离子或待测原子团簇型离子分别测试，通过数据处理比对后实现对待测元素离子或待测原子团簇型离子信号中的界面位置的确定。

8.根据权利要求5所述的适用于二次离子质谱分析的多层膜界面位置表征方法，其特征在于：所述原子团簇型离子中含有待测元素，从而实现对待测元素直接分析。

9.根据权利要求1所述的适用于二次离子质谱分析的多层膜界面位置表征方法，其特征在于：所述界面为AlN/Si界面、AlN/GaN界面、Ag/GaN界面、AlN/Al₂O₃界面。