[发明专利]一种具有深紫外探测功能的MgGaZnO薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 202110323797.9 | 申请日： | 2021-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN113088907A | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 王东博;罗佳炜;国凤云;刘东昊;王金忠;矫淑杰 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08;G01J1/42 |
| 代理公司： | 哈尔滨龙科专利代理有限公司 23206 | 代理人： | 李智慧 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 深紫 探测 功能 mggazno 薄膜 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有深紫外探测功能的MgGaZnO薄膜的制备方法，其特征在于所述方法包括如下步骤：
步骤一、制备MgGaZnO陶瓷靶材；
步骤二、将石英衬底和MgGaZnO陶瓷靶材放入磁控溅射设备的真空室中，抽真空，然后通入高纯氩气和高纯氧气，调节真空室中的工作压强为0.5～1.0Pa，控制氩气和氧气的流量比3～5:1，在溅射功率为60～80W的条件下磁控溅射1～3h，得到MgGaZnO薄膜材料；
步骤三、将步骤二得到的MgGaZnO薄膜材料进行高温退火处理，得到MgGaZnO薄膜。
2.根据权利要求1所述的具有深紫外探测功能的MgGaZnO薄膜的制备方法，其特征在于所述石英衬底与MgGaZnO陶瓷靶材的间距为6～7cm。
3.根据权利要求1所述的具有深紫外探测功能的MgGaZnO薄膜的制备方法，其特征在于所述退火温度为400～600℃，退火时间为30～60min。
4.根据权利要求1所述的具有深紫外探测功能的MgGaZnO薄膜的制备方法，其特征在于所述MgGaZnO薄膜中，Mg含量为67～68at.％，Ga含量为2～2.5at.％，Zn含量为30～31at.％。
5.根据权利要求1所述的具有深紫外探测功能的MgGaZnO薄膜的制备方法，其特征在于所述MgGaZnO薄膜对应的响应波段位于220nm处的深紫外响应波段。
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