[发明专利]一种氧化还原响应性有序多孔膜材料及其制备方法有效
| 申请号: | 202110323192.X | 申请日: | 2021-03-26 |
| 公开(公告)号: | CN112980045B | 公开(公告)日: | 2023-03-14 |
| 发明(设计)人: | 殷鸿尧;李宗诚 | 申请(专利权)人: | 四川大学 |
| 主分类号: | C08J9/28 | 分类号: | C08J9/28;C08L25/06 |
| 代理公司: | 成都虹盛汇泉专利代理有限公司 51268 | 代理人: | 周敏 |
| 地址: | 610065 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 氧化 还原 响应 有序 多孔 材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种氧化还原响应性有序多孔膜材料的制备方法,其特征在于包括以下步骤:
(1)将聚合物及氧化还原响应性化合物溶于溶剂中,配制成均匀的溶液;所述聚合物为聚苯乙烯;所述氧化还原响应性化合物为烷基硒醚,其结构通式为R1-Se-R2,其中R1和R2为C8~C20的烷基,R1和R2相同或不同;
(2)将所配制的溶液滴加到基底表面,并将基底置于匀胶机的旋转平台上;
(3)向匀胶机中通入空气,使空气流从溶液正上方吹向溶液,并控制通入的空气速率、匀胶机腔室内部的温度和相对湿度,同时启动匀胶机并控制其转速;
(4)待溶剂全部挥发后,停止匀胶机转动,取出基底即得到有序多孔膜材料。
2.根据权利要求1所述氧化还原响应性有序多孔膜材料的制备方法,其特征在于所述烷基硒醚为R1=R2=C12H25,即正十二烷基硒醚。
3.根据权利要求1所述氧化还原响应性有序多孔膜材料的制备方法,其特征在于所述溶剂为二氯甲烷、三氯甲烷、二硫化碳中的至少一种。
4.根据权利要求1所述氧化还原响应性有序多孔膜材料的制备方法,其特征在于所述基底为玻璃、硅片或聚酯薄膜。
5.根据权利要求1~4中任一权利要求所述氧化还原响应性有序多孔膜材料的制备方法,其特征在于所述步骤(1)所得溶液中聚合物浓度为5~50 mg/mL,所述氧化还原响应性化合物浓度为0.01~2 mg/mL。
6.根据权利要求1~5中任一权利要求所述氧化还原响应性有序多孔膜材料的制备方法,其特征在于步骤(3)中通入的空气速率为100~300 L/h,匀胶机腔室内温度为20~28oC,相对湿度为50%~90%,所述匀胶机的转速为0~50 rpm。
7.权利要求1~6中任一权利要求所述方法制备的氧化还原响应性有序多孔膜材料。
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