[发明专利]微型LED显示器及其制造方法有效
申请号: | 202110322711.0 | 申请日: | 2021-03-25 |
公开(公告)号: | CN112864290B | 公开(公告)日: | 2022-04-22 |
发明(设计)人: | 庄永漳 | 申请(专利权)人: | 镭昱光电科技(苏州)有限公司 |
主分类号: | H01L33/06 | 分类号: | H01L33/06;H01L33/38;H01L33/00;H01L33/44 |
代理公司: | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人: | 王锋 |
地址: | 215000 江苏省苏州市苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微型 led 显示器 及其 制造 方法 | ||
1.一种微型LED显示器,其特征在于,包括:
基板,所述基板中形成有驱动电路以及驱动电路上的触点;
键合层,所述键合层在所述基板上形成;
第一掺杂型半导体层,所述第一掺杂型半导体层在所述键合层上形成;
多重量子阱层,所述多重量子阱层在所述第一掺杂型半导体层上形成;
第二掺杂型半导体层,所述第二掺杂型半导体层在所述多重量子阱层上形成,其中,所述第二掺杂型半导体层包括通过离子注入制成的隔离材料,所述隔离材料将所述第二掺杂型半导体层划分为彼此电隔离的多个LED台面,所述第一掺杂型半导体层在各LED台面下方连续的延伸;
每个触点位于相邻的LED台面的间隙处;
钝化层,所述钝化层形成在所述第二掺杂型半导体层上,具有第一开口以及第二开口,每一第一开口和相应的一个第二开口对应一个LED台面,所述第一开口暴露所述第二掺杂型半导体层的一部分,每一第二开口位于对应的一个触点上方并暴露该触点;以及
电极层,所述电极层形成在所述钝化层上,通过所述钝化层上的第一开口与所述第二掺杂型半导体层的一部分接触,所述电极层通过每个位于第二掺杂型半导体层上方的第一开口和相应的一个第二开口将所述第二掺杂型半导体层与相应触点电连接。
2.根据权利要求1所述的微型LED显示器,其特征在于,所述多个LED台面包括第一LED台面和与所述第一LED台面相邻的第二LED台面,其中,所述第一LED台面下方的所述多重量子阱层、所述第一掺杂型半导体层和所述键合层水平延伸至所述第二LED台面下方的所述多重量子阱层、所述第一掺杂型半导体层和所述键合层。
3.一种微型LED显示器,其特征在于,包括:
基板,所述基板中形成驱动电路以及驱动电路上的触点;
多个LED单元,所述多个LED单元在所述基板上形成,每个LED单元包括:
键合层,所述键合层在所述基板上形成,
第一掺杂型半导体层,所述第一掺杂型半导体层在所述键合层上形成,
多重量子阱层,所述多重量子阱层在所述第一掺杂型半导体层上形成,
第二掺杂型半导体层,所述第二掺杂型半导体层在所述多重量子阱层上形成,
其中,所述多个LED单元包括第一LED单元和与所述第一LED单元相邻的第二LED单元,其中,所述第一LED单元的所述第二掺杂型半导体层通过离子注入材料与所述第二LED单元的所述第二掺杂型半导体层电隔离,每个LED单元的第一掺杂型半导体层跨多个LED单元连续的延伸;
触点位于相邻LED单元的间隙处;
钝化层,所述钝化层形成在由所述离子注入材料隔离的多个所述LED单元的所述第二掺杂型半导体层上,所述钝化层具有第一开口以及第二开口,每一第一开口和相应的一个第二开口对应一个LED单元,每一第二开口位于对应的一个触点上方并暴露该触点;和
电极层,所述电极层形成在所述钝化层上,通过每个LED单元的所述钝化层上的第一开口与每个LED单元的所述第二掺杂型半导体层的一部分接触,并通过每个位于LED单元上方的所述第一开口和相应的一个第二开口将每个LED单元的所述第二掺杂型半导体层与相应触点电连接。
4.根据权利要求3所述的微型LED显示器,其特征在于,所述第一LED单元下方的所述多重量子阱层、所述第一掺杂型半导体层和所述键合层水平延伸至所述第二LED单元下方的所述多重量子阱层、所述第一掺杂型半导体层和所述键合层。
5.根据权利要求4所述的微型LED显示器,其特征在于,在所述第二掺杂型半导体层中和所述多重量子阱层上形成所述离子注入材料。
6.根据权利要求3所述的微型LED显示器,其特征在于,所述离子注入材料包括氢、氦、氮、氧、氟、镁、硅或氩离子注入材料。
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