[发明专利]一种镁提纯装置和方法有效

专利信息
申请号: 202110322459.3 申请日: 2021-03-25
公开(公告)号: CN113061739B 公开(公告)日: 2022-12-27
发明(设计)人: 付超鹏;王飞;孙志龙;张小康 申请(专利权)人: 昆山慧封电子科技材料有限公司
主分类号: C22B9/02 分类号: C22B9/02;C22B9/04;C22B26/22
代理公司: 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 代理人: 钟扬飞
地址: 215300 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 提纯 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种镁提纯方法,其特征在于,该方法采用一种镁提纯装置,所述方法包括:

将镁原料放入第一蒸馏室内,对所述第一蒸馏室抽真空至10~150Pa;

控制温控层,加热所述第一蒸馏室,将温度升至560℃~600℃,保持80min~120min,使镁原料发生升华;

调整收集板的倾斜角度至26°~32°,使升华后的镁原料晶体在所述收集板上沉积;

将沉积后的镁原料晶体收集到第一原料收集室内,并输送至第二蒸馏室内;

控制加热器,将所述第二蒸馏室内温度升至560℃~600℃,保持120min~160min;

开启电场发生器,对镁原料晶体进行二次蒸馏处理;

在真空状态下,对所述第一蒸馏室进行冷却至室温;

从第二原料收集室内取出经过二次蒸馏处理后的镁原料晶体;

从第一杂质收集室和第二杂质收集室内取出经过二次蒸馏处理后的杂质;

所述镁提纯装置包括:

第一蒸馏室;

真空泵,与所述第一蒸馏室连接;

温控层,设于所述第一蒸馏室内;

收集板,设于所述第一蒸馏室内,位于所述温控层上;

第一原料收集室,设于所述第一蒸馏室上,与所述收集板连接;

第二蒸馏室,与所述第一原料收集室连接,所述第二蒸馏室内设有电场发生器;以及

第二原料收集室,设于所述第二蒸馏室内;

其中,所述第一原料收集室为螺旋环绕式的设置在第一蒸馏室和第二蒸馏室之间。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:

控制所述温控层,所述温控层控制温度降低,将所述第一蒸馏室内温度保持在300℃~320℃,使镁原料中熔点低的杂质被析出,通过冷凝板收集镁原料中熔点低于镁的杂质。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述电场发生器的直流电压为50~100V,电流为180A~850A。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述镁提纯装置还包括:

冷凝板,设于所述第一蒸馏室内。

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述镁提纯装置还包括:

第一杂质收集室,设于所述第二蒸馏室内,与所述第二原料收集室连接;

以及

第二杂质收集室,设于所述第二蒸馏室内,与所述第二原料收集室连接。

6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述温控层包括:

第一温控层,设于所述第一蒸馏室底部;以及

第二温控层,设于所述第一蒸馏室中部,所述收集板位于所述第二温控

层上。

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