[发明专利]卷对卷制备系统及卷对卷制备方法在审
| 申请号: | 202110321926.0 | 申请日: | 2021-03-25 |
| 公开(公告)号: | CN115124031A | 公开(公告)日: | 2022-09-30 |
| 发明(设计)人: | 李雪松;代光前;青芳竹 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
| 主分类号: | C01B32/184 | 分类号: | C01B32/184;C01B32/186 |
| 代理公司: | 北京方可律师事务所 11828 | 代理人: | 郝东晖;吴艳 |
| 地址: | 611731 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 制备 系统 方法 | ||
1.一种卷对卷制备系统,包括:
反应室,其至少一部分设置有加热元件;
放料辊、收料辊以及至少一个定位辊;和
基底材料箔,通过放料辊放出,经定位辊引导,最后由收料辊卷收,
其中,放料辊、收料辊以及至少一个定位辊设置在反应室的具有加热元件的部分之外,基底材料箔由至少一个定位辊引导延伸进出反应室的具有加热元件的部分多次。
2.根据权利要求1所述的卷对卷制备系统,其中,所述系统还包括真空放料室,放料辊和收料辊设置在真空放料室中,且真空放料室与反应室成直线、T型或L型排布。
3.根据权利要求2所述的卷对卷制备系统,其中,所述系统包括多个反应室,真空放料室与反应室成直线排布时,真空放料室位于多个成直线彼此连通的反应室的上游侧和下游侧。
4.根据权利要求2所述的卷对卷制备系统,其中,所述系统包括多个反应室,真空放料室与反应室成T型或L型排布时,真空放料室位于多个彼此平行的反应室的同一侧。
5.根据权利要求3或4所述的卷对卷制备系统,其中,基底材料箔由放料辊、定位辊和收料辊动态连续引导,经受交替的加热和冷却过程。
6.根据权利要求5所述的卷对卷制备系统,其中,基底材料箔延伸进出一个反应室多次后,延伸进入下一个反应室,再次延伸进出多次,依次进行,直到从最后一个反应室延伸出,由收料辊卷收。
7.根据权利要求6所述的卷对卷制备系统,其中,所述系统还包括一对进气口和出气口,分别设置在反应室的上游侧和下游侧。
8.根据权利要求6所述的卷对卷制备系统,其中,所述系统包括多对进气口和出气口,每一对进气口和出气口针对特定的一个或多个反应室设置,以针对特定的一个或多个反应室通入不同的气氛,通入不同气氛的反应室之间通过真空隔离室相互隔开。
9.根据权利要求8所述的卷对卷制备系统,其中,所述基底材料箔为铜箔,所述系统用于制备石墨烯。
10.根据权利要求9所述的卷对卷制备系统,其中,所述系统包括两个反应室,真空放料室与反应室成T型或L型排布,每一个反应室设置有进气口和出气口,第一反应室通入少量的氧对铜箔基底进行预处理或通入惰性气体对铜箔基底进行退火处理,第二反应室通入碳源,进行石墨烯生长。
11.一种卷对卷制备方法,包括:使用放料辊、收料辊和定位辊卷绕进行产物制备的基底材料箔,基底材料箔通过放料辊放出,经设置在加热区外侧的定位辊引导,反复延伸进出加热区。
12.根据权利要求11所述的卷对卷制备方法,其中,放料辊、收料辊和定位辊连续动态引导基底材料箔,使得基底材料箔在产物制备过程中,反复进入和离开加热区,经受交替的加热和冷却过程。
13.根据权利要求11或12所述的卷对卷制备方法,其中,基底材料箔通过放料辊放出,经定位辊引导,延伸进出多个加热区,使得基底材料箔在产物制备过程中,反复进入和离开一个加热区多次后,反复进入和离开下一个加热区多次,依次进行。
14.根据权利要求13所述的卷对卷制备方法,其中,一个或多个加热区与其他加热区通入不同的气氛。
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