[发明专利]存储单元信号裕度确定方法及装置、存储介质及电子设备

说明书

本公开是关于一种存储单元信号裕度确定方法及装置、存储介质及电子设备，涉及集成电路技术领域。该存储单元信号裕度确定方法包括：在存储单元执行写入和读取操作过程中，确定存储单元在噪声影响下的感应信号阈值；根据感应信号阈值，确定存储单元在读取数据时的实际信号裕度。本公开提供一种确定存储单元的实际信号裕度的方法。

技术领域

本公开涉及集成电路技术领域，具体而言，涉及一种存储单元信号裕度确定方法及装置、存储介质及电子设备。

背景技术

动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是计算机中常用的半导体存储器件，由许多阵列排布的存储单元组成。每个存储单元通常包括电容器和晶体管。

目前的DRAM中，存储单元阵列的密度较大，在存储单元自身以及相邻存储单元之间存在着多种噪声。这些噪声通常会消耗存储单元的信号裕度，使得存储单元中实际可用的信号裕度减小，如果实际可用的信号裕度过小，则会导致DRAM数据存取出错。

因此，确定DRAM中存储单元的实际信号裕度，对于DRAM的性能评估具有重要意义。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的目的在于提供一种存储单元信号裕度确定方法及装置、存储介质及电子设备，以确定出存储单元的实际信号裕度。

本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本发明的实践而习得。

根据本公开的第一方面，提供一种存储单元信号裕度确定方法，所述方法包括：

在存储单元执行写入和读取操作过程中，确定存储单元在噪声影响下的感应信号阈值；

根据所述感应信号阈值，确定所述存储单元在读取数据时的实际信号裕度。

可选的，所述噪声至少包括感应放大器失配噪声、数据背景噪声、数据保留时间噪声和信号时序噪声中的一个或多个。

可选的，确定所述存储单元在噪声影响下的感应信号阈值包括：

确定所述存储单元在所述感应放大器失配噪声影响下的第一信号阈值；

和/或，确定所述存储单元在所述数据背景噪声影响下的第二信号阈值；

和/或，确定所述存储单元在所述数据保留时间噪声影响下的第三信号阈值；

和/或，确定所述存储单元在所述信号时序噪声影响下的第四信号阈值。

可选的，根据所述感应信号阈值，确定所述存储单元在读取数据时的实际信号裕度包括：

根据所述第一信号阈值、所述第二信号阈值、所述第三信号阈值和/或所述第四信号阈值，确定所述存储单元在读取数据时的实际信号裕度。

可选的，根据所述第一信号阈值、所述第二信号阈值、所述第三信号阈值和所述第四信号阈值，确定所述存储单元在读取数据时的实际信号裕度包括：

计算所述存储单元的理论信号裕度；

根据所述理论信号裕度和所述第一信号阈值，计算所述感应放大器失配噪声对应的信号裕度第一消耗值；

根据所述第一信号阈值和所述第二信号阈值，计算所述数据背景噪声对应的信号裕度第二消耗值；

根据所述第一信号阈值和所述第三信号阈值，计算所述数据保留时间噪声对应的信号裕度第三消耗值；

根据所述第一信号阈值和所述第四信号阈值，计算所述信号时序噪声对应的信号裕度第四消耗值；