[发明专利]数据写入方法、片上系统芯片及计算机可读存储介质

说明书

一种数据写入方法、片上系统芯片及计算机可读存储介质，方法包括：根据PSRAM的单帧写入数据量确定拟写入数据的至少一个数据单元和数据单元对应的指令地址信息，所述单帧写入数据量为所述PSRAM对应的片选信号的低电平的时间内写入的数据量；根据所述数据单元对应的指令地址信息和所述数据单元生成至少一个区块，所述至少一个区块形成区块链表，所述区块包括指针信息、所述数据单元对应的指令地址信息和/或所述数据单元，所述指针信息用于指示传输所述区块链表时所述区块的下一个待发送区块；通过DMA控制器，基于所述区块链表将所述数据单元对应的指令地址信息和所述数据单元发送给所述PSRAM。能够实现对PSRAM的高速写入。

技术领域

本申请涉及芯片领域，并且更具体地，涉及一种数据写入方法、片上系统芯片及计算机可读存储介质。

背景技术

与动态随机存储器(Dynamic random access memory, DRAM)相比，伪静态随机存储器(Pseudo static random access memory, PSRAM)采用自刷新(Self refresh)机制，不需要额外的刷新电路即可定时刷新内部数据，避免数据丢失。

微控制器(Micro control unit, MCU)或片上系统(System on chip, SOC)类主控芯片访问PSRAM时，由于PSRAM的自刷新机制限制了片选信号CS(Chip select)的最长拉低时间，从而限制了PSRAM每次被访问的数据吞吐量，导致MCU/SOC在访问PSRAM时无法像访问闪存设备一样可以采用单次尽可能大的有效负载进行访问，极大地限制了对PSRAM的访问效率。

发明内容

本申请实施例提供了一种数据写入方法、片上系统SOC芯片及计算机可读存储介质，在不采用IP控制器的情况下，有效提升了对PSRAM的访问效率。

第一方面，提供一种数据写入的方法，其特征在于，包括：根据伪静态随机存储器PSRAM的单帧写入数据量确定拟写入所述PSRAM的数据的至少一个数据单元和所述数据单元对应的指令地址信息，其中，所述单帧写入数据量为所述PSRAM对应的片选信号的低电平的时间内写入的数据量；根据所述数据单元对应的指令地址信息和所述数据单元生成至少一个区块，所述至少一个区块形成区块链表，所述区块包括指针信息、所述数据单元对应的指令地址信息和/或所述数据单元，所述指针信息用于指示传输所述区块链表时所述区块的下一个待发送区块；通过直接存储器访问DMA控制器，基于所述区块链表将所述数据单元对应的指令地址信息和所述数据单元发送给所述PSRAM。

本申请实施例在软件写PSRAM的过程中引入具有硬件电路支持的DMA控制器，由软件层通过软件指令将拟发送数据一次性切分并确定成至少一个数据单元和所述数据单元对应的指令地址信息，所述数据单元对应的指令地址信息与所述数据单元生成至少一个区块，每个区块包括指针信息、所述数据单元对应的指令地址信息和/或所述数据单元，所述至少一个区块通过指针信息有序地组成区块链表，通过DMA控制器以区块链表的形式将数据发送给PSRAM，节省了软件层消耗软件指令指示多次切分、配置、发送数据的时间，有效提升了对PSRAM的访问效率，实现了对PSRAM的高速写入。

应理解，若所述数据单元对应的指令地址信息与所述数据单元分别生成不同区块进行传输，在区块链表中，包含所述数据单元对应的指令地址信息的区块的下一个待发送区块即为包含所述数据单元的区块。

在一种可能的实施方式中，所述区块还包括：配置信息，所述配置信息用于指示所述DMA控制器传输所述区块所需的指令。

本申请实施例中，每一个区块都具有与其对应的配置信息，也就是说，每一个区块的配置信息可以不同，DMA控制器能够通过不同的配置传输所述区块，提高了访问PSRAM的灵活度与自由度。

在一种可能的实施方式中，所述指令包括所述DMA控制器传输所述区块的传输方向指令、传输通道指令、传输速度指令、传输数据宽度指令中的至少一个。