[发明专利]驱动基板及其制备方法、显示面板

说明书

本申请实施例公开了一种驱动基板及其制备方法、显示面板，所述驱动基板包括衬底和薄膜晶体管，薄膜晶体管设置于衬底上，薄膜晶体管包括子薄膜晶体管组件、源极以及漏极，子薄膜晶体管组件包括同轴且沿径向由内向外依次设置的半导体层、第一绝缘层以及栅极，半导体层沿轴向依次具有源极接触区、沟道区以及漏极接触区，源极接触区和漏极接触区位于半导体层的端部，源极位于源极接触区，漏极位于漏极接触区。本申请提高了薄膜晶体管的稳定性以及寿命。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种驱动基板及其制备方法、显示面板。

背景技术

在有机发光二极管(OrganicLight-Emitting Diode，OLED)显示面板中，驱动薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)的稳定性及均一性对显示效果的提升起着至关重要的作用。

在目前的驱动TFT制程中，受限于制程上的误差及杂质缺陷的影响，驱动TFT的阈值电压在一定的偏压下会随着时间发生漂移，使得驱动TFT的阈值电压不稳定。

发明内容

本申请实施例提供一种驱动基板及其制备方法、显示面板，以解决现有的显示面板中驱动TFT的阈值电压不稳定的技术问题。

本申请实施例提供一种驱动基板，其包括：

衬底；以及

薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置于所述衬底上，所述薄膜晶体管包括子薄膜晶体管组件、源极以及漏极，所述子薄膜晶体管组件包括同轴且沿径向由内向外依次设置的半导体层、第一绝缘层以及栅极，所述半导体层沿轴向依次具有源极接触区、沟道区以及漏极接触区，所述源极接触区和所述漏极接触区位于所述半导体层的端部，所述源极电连接于所述源极接触区，所述漏极电连接于所述漏极接触区。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述子薄膜晶体管组件远离所述衬底的外表面开设有第一开口和第二开口，所述第一开口和所述第二开口位于所述子薄膜晶体管组件的两个端部，所述第一开口和所述第二开口依次贯穿所述栅极和所述第一绝缘层，并分别裸露出所述源极接触区和所述漏极接触区。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述薄膜晶体管还包括第二绝缘层，所述第二绝缘层设置于所述衬底上，并覆盖所述子薄膜晶体管组件，所述第二绝缘层上开设有第一接触孔和第二接触孔，所述第一接触孔对应于所述第一开口，所述第二接触孔对应于所述第二开口；

所述源极和所述漏极均设置于所述第二绝缘层远离所述衬底的一侧，所述源极通过所述第一接触孔电连接至所述源极接触区，所述漏极通过所述第二接触孔电连接至所述漏极接触区。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述子薄膜晶体管组件具有相对设置的第一端面和第二端面，所述源极设置于所述第一端面对应于所述半导体层的部分上，所述漏极设置于所述第二端面对应于所述半导体层的部分上。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述薄膜晶体管包括第二绝缘层，所述第二绝缘层设置于所述衬底上，并覆盖所述子薄膜晶体管组件，所述第二绝缘层上开设有第一接触孔和第二接触孔，所述第一接触孔位于所述第一端面对应于所述半导体层的部分上，并裸露出所述源极接触区，所述第二接触孔位于所述第二端面对应于所述半导体层的部分上，并裸露出所述漏极接触区；

所述源极和所述漏极均设置于所述第二绝缘层远离所述衬底的一侧，所述源极通过所述第一接触孔电连接至所述源极接触区，所述漏极通过所述第二接触孔电连接至所述漏极接触区。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一端面和所述第二端面与所述衬底所在平面之间的夹角均为锐角。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述驱动基板还包括栅线，所述栅线设置于所述衬底靠近所述栅极的一侧，且与所述栅极电性连接。

本申请提供一种显示面板，其包括上述任一项所述的驱动基板。