[发明专利]加工半导体晶片的方法、半导体晶片、夹和半导体器件

说明书

提供了一种用于加工半导体晶片的方法。一种半导体晶片包括第一主表面和第二主表面。在半导体晶片内部产生缺陷，以限定出平行于第一主表面的脱离平面。加工第一主表面而限定出多个电子半导体部件。提供了一种玻璃结构，所述玻璃结构包括多个开口。所述玻璃结构附接到经加工的第一主表面，所述多个开口中的每个分别使多个电子半导体部件的相应区域未被覆盖。聚合物层被施加到第二主表面，并且通过将聚合物层冷却到其玻璃化转变温度以下，沿着脱离平面将半导体晶片分裂成半导体切片和剩留的半导体晶片。所述半导体切片包括所述多个电子半导体部件。

技术领域

本公开总体上涉及一种用于加工半导体晶片的方法。本发明还涉及一种半导体晶片和一种半导体器件。本公开还涉及一种用于电连接布置在半导体晶片上的焊盘的夹。

背景技术

为了改善半导体器件的特性，通常减小器件中的半导体材料的最终厚度。特别是对于垂直功率器件，最终厚度会影响电特性。

可以通过蚀刻、研磨、锯切等来使半导体晶片变薄。这些去除工艺可能是耗时的或资源密集的。变薄的另一种方法可以是分裂晶片。

薄晶片的处理是复杂的。脆性半导体材料一旦变薄就容易断裂。可以将待变薄的半导体晶片和已经变薄的半导体晶片安装在载体上以进行安全处理。

在将变薄的半导体晶片布置在载体上的情况下，它不可能电接触晶片的两侧。这样就不可能在晶片级上测量两侧都具有电接触部的垂直器件的电特性。

半导体器件的侧向尺寸也趋于减小。侧向尺寸越小，使得必须电连接的焊盘越小。另一方面，连接功率器件的电连接器可能需要足够大的横截面来允许高电流流动。

发明内容

一个示例涉及一种用于加工半导体晶片的方法。所述方法提供具有第一主表面和与第一主表面相反的第二主表面的半导体晶片。在半导体晶片内部产生缺陷。所述缺陷限定出平行于第一主表面的脱离平面。根据本方法，对第一主表面进行加工以限定出多个电子半导体部件。所述方法还提供玻璃结构。所述玻璃结构具有多个开口。所述玻璃结构被附接到经加工的第一主表面。所述多个开口中的每个分别使多个电子半导体部件的相应区域未被覆盖。将聚合物层施加到第二主表面上。所述方法通过将聚合物层冷却到其玻璃化转变温度以下而将半导体晶片分裂成半导体切片和剩留的半导体晶片。所述半导体切片在第一主表面与脱离平面之间延伸。所述半导体切片包括所述多个电子半导体部件。

一个示例涉及一种半导体晶片。所述半导体晶片具有第一主表面和与第一主表面相反的第二主表面。由缺陷限定的脱离平面位于半导体晶片内部。脱离平面平行于第一主表面。多个电子半导体部件形成在第一主表面处以及第一主表面与脱离平面之间。玻璃结构附接到第一主表面。玻璃结构包括多个开口。所述多个开口中的每个分别使多个电子半导体部件的相应区域未被覆盖。

一个示例涉及一种用于电连接布置在玻璃结构中的开口的底部上的焊盘的夹。所述夹包括形成夹的第一部分的铆钉或被弯曲以形成第一部分和第二部分的单件金属片，所述铆钉铆接到夹的第二部分。所述第二部分被构造成延伸到端子。所述第一部分具有为开口的宽度的大约一半或更大的宽度。所述第一部分被构造成能够直通延伸到开口的底部。

一个示例涉及一种半导体器件。所述半导体器件包括具有第一主表面和与第一主表面相反的第二主表面的半导体芯片。第一主表面包括焊盘和玻璃结构。所述玻璃结构包括开口。所述开口的边沿包围焊盘。包围所述开口的所述玻璃结构的厚度与所述开口的宽度之间的纵横比等于一到三或更大。半导体器件包括之上安装半导体芯片的载体。半导体芯片的第二主表面面对所述载体。粘合剂位于所述开口的底部上。夹电连接焊盘。夹包括形成夹的第一部分的铆钉或者被弯曲以形成第一部分和第二部分的单件，所述铆钉铆接到夹的第二部分。所述第二部分被构造成延伸到载体上的端子。所述第一部分具有为开口的宽度的大约一半或更大的宽度。所述第一部分被构造成直通延伸到开口的底部。所述夹的第一部分借助于粘合剂电连接到焊盘。

附图说明