[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

器件层，包括第一晶体管；

第一互连结构，位于所述器件层的前侧上；以及

第二互连结构，位于所述器件层的背侧上，所述第二互连结构包括：

第一介电层，位于所述器件层的背侧上；

接触件，穿过所述第一介电层延伸到所述第一晶体管的源极/漏极区；

第一导电层，包括第一导电线，所述第一导电线经由所述接触件电连接到所述第一晶体管的所述源极/漏极区；以及

第二介电层，与所述第一导电线相邻，所述第二介电层包括k值大于7.0的材料，其中第一去耦电容器包括所述第一导电线和所述第二介电层。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一导电线是电源线或电接地线。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一导电层还包括第二导电线，其中所述第一导电线是电源线，其中所述第二导电线是电接地线，以及其中所述第二介电层位于所述第一导电线与所述第二导电线之间。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二互连结构还包括第二导电层，所述第二导电层包括第二导电线，其中所述第一导电线是电源线，其中所述第二导电线是电接地线，以及其中所述第二介电层在垂直于所述器件层的主表面的方向上位于所述第一导电层和所述第二导电层之间。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二介电层包括金属氧化物材料。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一互连结构包括第二去耦电容器。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述器件层包括第二晶体管，其中所述第二晶体管经由所述第一互连结构耦合到所述第一晶体管。

8.一种半导体器件，包括：

第一晶体管结构和第二晶体管结构，位于器件层中；

前侧互连结构，位于所述器件层的前侧上，所述第一晶体管经由所述前侧互连结构电耦合到所述第二晶体管；以及

背侧互连结构，位于所述器件层的背侧上，所述背侧互连结构包括：

第一介电层，位于所述器件层的所述背侧上；

第一接触件，穿过所述第一介电层延伸到所述第一晶体管的源极/漏极区；

去耦电容器；

电源线；以及

电接地线。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述去耦电容器包括介电材料，所述介电材料在平行于所述器件层的主表面的方向上在所述电源线和所述电接地线之间延伸。

10.一种形成半导体器件的方法，包括：

在半导体衬底上形成第一晶体管；

去除所述半导体衬底；以及

在所述第一晶体管的背侧上方形成第一互连结构，其中形成所述第一互连结构包括：

在所述第一晶体管的背侧上方形成第一介电层；

形成穿过所述第一介电层且电耦合到所述第一晶体管的源极/漏极区的背侧通孔；

在所述背侧通孔和所述第一介电层上方形成第二介电层，其中所述第二介电层包括k值大于7.0的介电材料；以及

在所述第二介电层中形成第一导电线和第二导电线，所述第一导电线电耦合到所述背侧通孔，所述第一导电线还电耦合到电源线或电接地线，其中去耦电容器包括所述第一导电线、所述第二介电层和所述第二导电线。