[发明专利]晶圆结构及其制备方法、三维存储器、电子设备

说明书

本申请提供了一种晶圆结构，所述晶圆结构包括晶圆及薄膜层，所述薄膜层设置于所述晶圆的一侧，所述薄膜层包括至少一个第一薄膜部及至少一个第二薄膜部，所述第一薄膜部连接所述第二薄膜部，且所述第一薄膜部与所述第二薄膜部的翘曲程度不同。通过工艺技术可对所述薄膜层的不同位置进行定制化翘曲，使得所述薄膜层形成多个所述第一薄膜部及多个所述第二薄膜部，从而控制所述晶圆结构的翘曲程度，则可以实现不同径向上的翘曲程度相同，且避免翘曲程度过大。本申请还提供了一种晶圆制备方法、三维存储器及电子设备。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种晶圆结构及其制备方法、三维存储器、电子设备。

背景技术

半导体晶圆在制作过程中，由于薄膜和晶圆，以及薄膜和薄膜之间的晶体失配、热失配等一系列原因，晶圆会发生不同程度的形变，发生翘曲。如果晶圆翘曲过大会导致无法被拉平，从而无法进入机台。此外，如果晶圆在不同径向上的翘曲程度不同，将会影响包括晶圆级键合等在内的对晶圆平整度要求较高的工艺制程。

发明内容

本申请公开了一种晶圆结构，能够解决晶圆翘曲过大、不同径向上的翘曲程度不同的技术问题。

第一方面，本申请提供了一种晶圆结构，所述晶圆结构包括晶圆及薄膜层，所述薄膜层设置于所述晶圆的一侧，所述薄膜层包括至少一个第一薄膜部及至少一个第二薄膜部，所述第一薄膜部连接所述第二薄膜部，且所述第一薄膜部与所述第二薄膜部的翘曲程度不同。

其中，所述第一薄膜部的向背离所述晶圆的一侧翘曲，且所述第二薄膜部的翘曲方向与所述第一薄膜部相同。

其中，所述第一薄膜部的数量大于或等于两个，多个第一薄膜部间隔设置，所述薄膜层具有中心，靠近所述中心的所述第一薄膜部的翘曲程度小于远离所述中心的所述第一薄膜部的翘曲程度。

其中，所述第一薄膜部与所述第二薄膜部交错设置。

其中，所述第一薄膜部还包括间隔设置的多个第一子薄膜部。

其中，所述第二薄膜部围设于所述第一薄膜部；或者，所述第一薄膜部围设于所述第二薄膜部。

其中，所述第二薄膜部外接于所述第一薄膜部的周侧面。

其中，所述第一薄膜部的数量为两个，所述第二薄膜部的相对两端外接于所述第一薄膜部的周侧面，以使两个所述第一薄膜部分布于所述第二薄膜部的相对两侧。

通过工艺技术可对所述薄膜层的不同位置进行定制化翘曲，使得所述薄膜层形成多个所述第一薄膜部及多个所述第二薄膜部，从而控制所述晶圆结构的翘曲程度，则可以实现不同径向上的翘曲程度相同，且避免翘曲程度过大。

第二方面，本申请还提供了一种晶圆制备方法，所述晶圆制备方法包括：

提供晶圆；

形成于所述晶圆一侧的薄膜层；以及

对所述薄膜层进行图形化热处理，以形成至少一个第一薄膜部及至少一个第二薄膜部，所述第一薄膜部连接所述第二薄膜部，且所述第一薄膜部与所述第二薄膜部的翘曲程度不同。

其中，所述“对所述薄膜层进行图形化热处理，以形成至少一个第一薄膜部及至少一个第二薄膜部”包括：

所述薄膜层具有至少一个第一薄膜区及至少一个第二薄膜区，对所述至少一个第一薄膜区进行热处理，以使所述第一薄膜区的所述薄膜层形成第一薄膜部，并使所述第二薄膜区的所述薄膜层形成第二薄膜部。

其中，所述“对所述薄膜层进行图形化热处理，以形成至少一个第一薄膜部及至少一个第二薄膜部，所述第一薄膜部连接所述第二薄膜部，且所述第一薄膜部与所述第二薄膜部的翘曲程度不同”包括：