[发明专利]一种固态硬盘的制造方法与固态硬盘在审

专利信息
申请号: 202110313340.X 申请日: 2021-03-24
公开(公告)号: CN113064843A 公开(公告)日: 2021-07-02
发明(设计)人: 倪黄忠;刘玉 申请(专利权)人: 深圳市时创意电子有限公司
主分类号: G06F13/16 分类号: G06F13/16;G06F3/06
代理公司: 深圳盛德大业知识产权代理事务所(普通合伙) 44333 代理人: 贾振勇
地址: 518000 广东省深圳市宝安区新桥街道新发东路*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 固态 硬盘 制造 方法
【说明书】:

发明提供了一种固态硬盘的制造方法,包括:提供一SSD控制器和与SSD控制器连接的第一NAND FLASH芯片,SSD控制器的数据通道的数量至少为8个;提供一经过预处理的缓存模块并将其与SSD控制器连接,缓存模块由至少两种不同的缓存单元组成;确定缓存模块向第一NAND FLASH芯片传输的数据的数据大小;将数据大小小于预设大小的数据分类为第一类数据,将数据大小大于预设大小的数据分类为第二类数据;以及将第一类数据与第二类数据分别传输至第一NAND FLASH芯片中的不同位置进行存储。本发明还提供了一种固态硬盘。本发明中,通过对数据通道等的优化设计,在增大固态硬盘的存储容量的同时,还有效地提升了固态硬盘的数据传输速度、数据处理效率以及固态硬盘的使用寿命。

技术领域

本发明属于固态硬盘技术领域,尤其涉及一种固态硬盘的制造方法与固态硬盘。

背景技术

固态硬盘(Solid State Disk或baiSolid State Drive,SSD),也称作电子硬盘或者固态电子盘,是由控制单元(SSD控制器)和固态存储单元(NANDFLASH颗粒)组成的硬盘。相比于传统的机械硬盘,固态硬盘有着快速读写、质量轻、能耗低以及体积小等特点,受到越来越多消费者的欢迎,在生活中的应用也日渐广泛。

一般地,固态硬盘的存储容量、数据读写速度以及使用寿命等性能都取决于SSD控制器的数据通道数目,然而目前SSD控制器一般为2数据通道或4数据通道的结构构成,导致固态硬盘的存储容量最大才1TB,相比于传统固态硬盘的存储容量来说较小,同时数据读写速度也不是很高,尤其是小文件的并发速度以及自身的使用寿命也不够高,影响了固态硬盘的使用范围。

发明内容

本发明实施例提供一种固态硬盘的制造方法与固态硬盘,旨解决的现有的固态硬盘存储容量小、数据读写速度慢以及使用寿命短的技术问题。

本发明实施例是这样实现的,一种固态硬盘的制造方法,所述制造方法包括:

提供一SSD控制器和与所述SSD控制器连接的第一NAND FLASH芯片,所述SSD控制器的数据通道的数量至少为8个;

提供一经过预处理的缓存模块并将其与所述SSD控制器连接,所述缓存模块由至少两种不同的缓存单元组成;

确定所述缓存模块向所述第一NAND FLASH芯片传输的数据的数据大小,并将数据大小小于预设大小的数据分类为第一类数据,将数据大小大于预设大小的数据分类为第二类数据;以及

将所述第一类数据与所述第二类数据分别传输至所述第一NAND FLASH芯片中的不同位置进行存储。

更进一步地,所述缓存模块至少包括第二NAND FLASH芯片和与所述第二NANDFLASH芯片并联设置的DRAM芯片,所述提供一经过预处理的缓存模块并将其与所述SSD控制器连接,包括:

将所述第二NAND FLASH芯片中的TLC颗粒通过转化算法转化为SLC颗粒;

从所述SSD控制器中选取预设数量的数据通道与所述第二NAND FLASH芯片连接;以及

提供至少两个并联设置的所述DRAM并与所述SSD控制器连接,其中,所述DRAM芯片的总线至少为16位。

更进一步地,所述将所述第二NAND FLASH芯片中的TLC颗粒通过转化算法转化为SLC颗粒,包括:

舍弃所述第二NAND FLASH芯片中的TLC颗粒的三个bit中两个bit,以使TLC颗粒仅保留一个bit而转化为SLC颗粒。

更进一步地,所述确定所述缓存模块向所述第一NAND FLASH芯片传输的数据的数据大小,并将数据大小小于预设大小的数据分类为第一类数据,将数据大小大于预设大小的数据分类为第二类数据,包括:

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