[发明专利]存储器单元编程在审

专利信息
申请号: 202110313037.X 申请日: 2021-03-24
公开(公告)号: CN113470717A 公开(公告)日: 2021-10-01
发明(设计)人: A·S·叶 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: G11C16/10 分类号: G11C16/10;G11C16/04;G11C16/30;G11C16/34
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王艳娇
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 存储器 单元 编程
【权利要求书】:

1.一种设备,其包括:

存储器单元阵列;

存取线,其连接到多个存储器单元;和

控制器,其用于存取所述存储器单元阵列,其中所述控制器被配置成致使所述设备:

将所述多个存储器单元编程到多个数据状态中的特定数据状态;和

对于所述多个存储器单元中其目标数据状态高于所述特定数据状态的每一存储器单元:

确定被视为足以将所述存储器单元编程到与其相应目标数据状态对应的相应目标阈值电压的编程电压电平的相应指示;和

使用多个编程电压电平中与如下所述编程电压电平的所述相应指示对应的编程电压电平进一步编程所述存储器单元:所述编程电压电平被视为足以将所述存储器单元编程到与其相应目标数据状态对应的所述相应目标阈值电压。

2.根据权利要求1所述的设备,其中所述存取线进一步连接到除所述多个存储器单元以外的存储器单元。

3.根据权利要求1所述的设备,其中对于所述多个存储器单元中其目标数据状态高于所述特定数据状态的每一存储器单元,所述控制器被进一步配置成致使所述设备验证所述存储器单元是否响应于使用所述多个编程电压电平中与如下所述编程电压电平的所述相应指示对应的所述编程电压电平编程所述存储器单元而达到其相应目标数据状态:所述编程电压电平被视为足以将所述存储器单元编程到与其相应目标数据状态对应的所述相应目标阈值电压。

4.根据权利要求3所述的设备,其中所述控制器被进一步配置成致使所述设备进一步编程被视为未通过所述验证的存储器单元。

5.根据权利要求4所述的设备,其中所述多个存储器单元中的特定存储器单元被视为未通过所述验证,其中所述多个编程电压电平中与如下所述编程电压电平的所述相应指示对应的所述编程电压电平是所述多个编程电压电平中的第N编程电压电平:所述编程电压电平被视为足以将所述特定存储器单元编程到与其相应目标数据状态对应的所述相应目标阈值电压,且其中所述控制器被配置成致使所述设备进一步编程所述特定存储器单元包括所述控制器被配置成致使所述设备:

增加所述多个编程电压电平中的所述第N编程电压电平的所述电压电平;和

使用具有所述增加的电压电平的所述第N编程电压电平进一步编程所述特定存储器单元。

6.根据权利要求1所述的设备,其中对于所述多个存储器单元中其目标数据状态高于所述特定数据状态的每一存储器单元,与其相应目标数据状态对应的所述相应目标阈值电压是与其相应目标数据状态对应的中间目标阈值电压。

7.根据权利要求1所述的设备,其中所述多个存储器单元是第一多个存储器单元,其中所述特定数据状态是所述多个数据状态中的第一特定数据状态,其中所述存取线进一步连接到第二多个存储器单元,且其中所述控制器被进一步配置成致使所述设备:

将所述第二多个存储器单元编程到所述多个数据状态中的第二特定数据状态;和

对于所述第二多个存储器单元中其目标数据状态高于所述第二特定数据状态的每一存储器单元:

确定被视为足以将所述存储器单元编程到与其相应目标数据状态对应的相应目标阈值电压的编程电压电平的相应指示;和

使用所述多个编程电压电平中与如下所述编程电压电平的所述相应指示对应的编程电压电平进一步编程所述存储器单元:所述编程电压电平被视为足以将所述存储器单元编程到与其相应目标数据状态对应的所述相应目标阈值电压。

8.根据权利要求7所述的设备,其中所述第二多个存储器单元中的所述存储器单元的每一目标数据状态高于所述第一多个存储器单元中的所述存储器单元的每一目标数据状态。

9.根据权利要求1所述的设备,其中所述控制器被配置成致使所述设备在编程操作期间将所述第一多个存储器单元编程到所述第一特定数据状态,并且在所述编程操作期间同时将所述第二多个存储器单元编程到所述第二特定数据状态。

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