[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括，

提供衬底；

在所述衬底上依次形成浮栅材料层和控制栅材料层；

在所述控制栅材料层上形成同层设置的牺牲层、阻挡层和第一侧墙，所述阻挡层至少形成在所述牺牲层和所述第一侧墙之间；

以所述牺牲层、所述阻挡层和所述第一侧墙为掩模，依次刻蚀所述控制栅材料层和所述浮栅材料层，以形成控制栅层和浮栅层；

在所述控制栅层、所述浮栅层和所述第一侧墙的侧边形成字线；

刻蚀去除所述牺牲层，在刻蚀去除所述牺牲层时，所述阻挡层阻挡刻蚀剂侵蚀所述第一侧墙；

以所述第一侧墙为掩模，依次刻蚀所述控制栅层和所述浮栅层。

2.如权利要求1所述的一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述阻挡层的材料与所述牺牲层不同，且所述阻挡层的密度大于所述第一侧墙的密度。

3.如权利要求1所述的一种半导体器件的制造方法，其特征在于，靠近所述牺牲层的所述阻挡层的密度大于远离所述牺牲层的所述阻挡层的密度。

4.如权利要求3所述的一种半导体器件的制造方法，其特征在于，在远离所述牺牲层的方向上，所述阻挡层的密度逐渐降低。

5.如权利要求1所述的一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述阻挡层的厚度为1nm～5nm。

6.如权利要求1所述的一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述阻挡层为氧化层，以及，形成所述阻挡层的方法包括：热氧化法或现场水汽生成法。

7.如权利要求1所述的一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述阻挡层掺杂有氢原子。

8.如权利要求1所述的一种半导体器件的制造方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺以刻蚀去除所述牺牲层。

9.一种半导体器件，其特征在于，包括衬底、依次设置在所述衬底上的浮栅层和控制栅层、形成在所述控制栅层上且同层设置的第一侧墙和牺牲层以及形成在所述浮栅层、所述控制栅层和所述第一侧墙侧边的字线；所述半导体器件还包括阻挡层，所述阻挡层至少形成在所述牺牲层和所述第一侧墙之间，用于在所述牺牲层被刻蚀去除时阻挡刻蚀剂侵蚀所述第一侧墙。

10.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述阻挡层的材料与所述牺牲层不同，且所述阻挡层的密度大于所述第一侧墙的密度。

11.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，靠近所述牺牲层的所述阻挡层的密度大于远离所述牺牲层的所述阻挡层的密度。

12.如权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，在远离所述牺牲层的方向上，所述阻挡层的密度逐渐降低。

13.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述阻挡层的厚度为1nm～5nm。

14.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述阻挡层包括至少两层依次设置的隔离层。