[发明专利]晶圆制备方法、键合方法、键合装置、键合设备在审

专利信息
申请号: 202110310943.4 申请日: 2021-03-23
公开(公告)号: CN113078090A 公开(公告)日: 2021-07-06
发明(设计)人: 尹朋岸;胡思平 申请(专利权)人: 长江存储科技有限责任公司
主分类号: H01L21/68 分类号: H01L21/68;H01L21/60;H01L21/67
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 熊永强
地址: 430074 湖北省武汉*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 制备 方法 装置 设备
【权利要求书】:

1.一种晶圆制备方法,其特征在于,包括:

提供衬底;

形成覆盖所述衬底的功能层,所述功能层具有第一标识;

形成覆盖所述功能层的连接层,所述连接层具有间隔设置的第二标识与第三标识,所述第二标识正对应所述第一标识;以及

形成覆盖所述连接层的互联层,所述互联层具有间隔设置的第四标识与第五标识,所述第四标识正对应所述第三标识。

2.如权利要求1所述的晶圆制备方法,其特征在于,“形成覆盖所述连接层的互联层,所述互联层具有间隔设置的第四标识与第五标识,所述第四标识正对应所述第三标识”包括:

形成覆盖所述连接层的互联层,所述互联层具有间隔设置的第四标识与第五标识,所述第四标识正对应所述第三标识;其中,所述第四标识至所述第五标识的距离与所述第二标识至所述第三标识的距离相等。

3.一种晶圆键合方法,其特征在于,包括:

提供第二晶圆;其中,所述第二晶圆具有第五预设标识;

提供第一衬底;

形成覆盖所述第一衬底的第一功能层,所述第一功能层具有第一标识;

形成覆盖所述第一功能层的第一连接层,所述第一连接层具有间隔设置的第二标识与第三标识,所述第二标识正对应所述第一标识;

形成覆盖所述第一连接层的第一互联层以形成第一晶圆,所述第一互联层具有间隔设置的第四标识与第五标识,所述第四标识正对应所述第三标识;以及

将所述第一互联层的表面与所述第二晶圆的靠近所述第一互联层一侧的表面抵接,并使所述第五标识正对应所述第五预设标识。

4.如权利要求3所述的晶圆键合方法,其特征在于,“提供第二晶圆;其中,所述第二晶圆具有第五预设标识”包括:

提供第二晶圆;其中,所述第二晶圆包括在第二衬底上依次形成的第二功能层、第二连接层、第二互联层,所述第二功能层具有所述第五预设标识;

“将所述第一互联层的表面与所述第二晶圆的靠近所述第一互联层一侧的表面抵接,并使所述第五标识正对应所述第五预设标识”包括:

将所述第一互联层的表面与所述第二互联层的表面抵接,并使所述第五标识正对应所述第五预设标识。

5.如权利要求3所述的晶圆键合方法,其特征在于,“提供第二晶圆;其中,所述第二晶圆具有第五预设标识”包括:

提供第二晶圆;其中,所述第二晶圆包括在第二衬底上依次形成的第二功能层、第二连接层、第二互联层,所述第二互联层具有所述第五预设标识;

“将所述第一互联层的表面与所述第二晶圆的靠近所述第一互联层一侧的表面抵接,并使所述第五标识正对应所述第五预设标识”包括:

将所述第一互联层的表面与所述第二互联层的表面抵接,并使所述第五标识正对应所述第五预设标识。

6.如权利要求5所述的晶圆键合方法,其特征在于,“提供第二晶圆;其中,所述第二晶圆包括在第二衬底上依次形成的第二功能层、第二连接层、第二互联层,所述第二互联层具有第五预设标识”包括:

提供第二晶圆;其中,所述第二晶圆包括在第二衬底上依次形成的第二功能层、第二连接层、第二互联层,所述第二功能层具有第一预设标识,所述第二连接层具有间隔设置的第二预设标识与第三预设标识,所述第二预设标识正应对所述第一预设标识,所述第二互联层具有间隔设置的第四预设标识与第五预设标识,所述第四预设标识正对应所述第三预设标识。

7.如权利要求6所述的晶圆键合方法,其特征在于,“将所述第一互联层的表面与所述第二晶圆的靠近所述第一互联层一侧的表面抵接,并使所述第五标识正对应所述第五预设标识”包括:

将所述第一互联层的表面与所述第二晶圆的靠近所述第一互联层一侧的表面抵接,并使所述第五标识正对应所述第五预设标识;其中,所述第一预设标识正对应所述第一标识,所述第二预设标识正对应所述第二标识,所述第三预设标识正对应所述第三标识,所述第四预设标识正对应所述第四标识。

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