[发明专利]一种用于生长晶体的设备

权利要求书

1.一种用于生长晶体的设备，其特征在于，所述设备包括：

温场装置，所述温场装置包括底板、盖板、筒以及填充体，其中，

所述底板设置于所述温场装置底部，覆盖于所述筒一开口端；

所述盖板设置于所述温场装置顶部，覆盖于所述筒另一开口端；

所述填充体填充于所述筒内部，所述填充体至少用于支撑埚，晶体生长所需反应物料置于所述埚内以进行反应；

加料部件，所述加料部件用于将反应物料补充料送入所述埚内，所述加料部件包括称重组件、传料组件以及控制组件，其中，

所述称重组件用于根据所述控制组件确定的所述反应物料补充料的补充重量称量所述反应物料补充料；

所述传料组件用于将所述称量组件称量完毕的所述反应物料补充料转移至所述埚内；

所述控制组件用于：

获取生长中的晶体的重量，并至少根据所述生长中的晶体的重量和用于生长晶体的各反应物料之间的比例确定所述反应物料补充料的补充重量；以及

实时获取所述称重组件称量的所述反应物料的称量重量，所述反应物料补充料的称量重量与所述反应物料的补充重量相等，控制所述传料组件将所述反应物料补充料由所述称重组件转移至所述埚内。

2.一种用于生长晶体的设备，其特征在于，所述设备包括：

温场装置，所述温场装置包括底板、盖板、第一筒、第二筒以及填充体，其中，所述底板设置于所述温场装置底部，覆盖于所述第一筒的一开口端；

所述盖板设置于所述温场装置顶部，覆盖于所述第一筒的另一开口端；

所述第二筒管设置于所述第一筒内部；

所述填充体填充于所述第二筒内部和/或所述第二筒和所述第一筒之间的空隙中，填充于所述第二筒内部的所述填充体至少用于支撑埚，晶体生长所需反应物料置于所述埚内以进行反应；

加料部件，所述加料部件用于将反应物料补充料送入所述埚内，所述加料部件包括称重组件、传料组件以及控制组件，其中，

所述称重组件用于根据所述控制组件确定的所述反应物料补充料的补充重量称量所述反应物料补充料；

所述传料组件用于将所述称量组件称量完毕的所述反应物料补充料转移至所述埚内；

所述控制组件用于：

获取生长中的晶体的重量，并至少根据所述生长中的晶体的重量和用于生长晶体的各反应物料之间的比例确定所述反应物料补充料的补充重量；以及

实时获取所述称重组件称量的所述反应物料的称量重量，所述反应物料补充料的称量重量与所述反应物料的补充重量相等，控制所述传料组件将所述反应物料补充料由所述称重组件转移至所述埚内。

3.根据权利要求1或2所述的设备，其特征在于，

所述加料部件还包括盛料组件，所述盛料组件用于盛放所述反应物料补充料；

所述控制组件进一步用于：

所述反应物料补充料的称量重量小于所述反应物料的补充重量相等，控制所述盛料组件向所述称量组件转移所述反应物料补充料；

所述反应物料补充料的称量重量与所述反应物料的补充重量相等，控制所述盛料组件停止向所述称量组件转移所述反应物料补充料。

4.根据权利要求2所述的设备，其特征在于，填充于所述第二筒内部的所述填充体至少用于包覆所述埚的至少一部分。

5.根据权利要求2所述的设备，其特征在于，所述埚由两个或以上坩埚套用组成。

6.根据权利要求2所述的设备，其特征在于，

所述埚由半径不同的内层坩埚和外层坩埚套用；

所述内层坩埚和所述外层坩埚之间存在间隙，用以形成进料口；

所述进料口用于接收所述反应物料补充料。

7.根据权利要求6所述的设备，其特征在于，所述间隙进一步形成排气口或化料区。

8.根据权利要求6或7所述的设备，其特征在于，所述内层坩埚外侧底部开设有多个可开闭的通料孔，用于将接收的所述反应物料补充料送入所述内层坩埚内部。